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K4[Ru(CN)6]对T-颗粒溴碘化银乳剂感光性能及光电子寿命影响的研究

王英茹 , 柳青

影像科学与光化学

本文研究了K4[Ru(CN)6]掺杂剂对T-颗粒溴碘化银乳剂感光性能以及光电子寿命的影响,研究结果表明,掺杂剂的掺杂量、掺杂位置以及在乳剂颗粒內部的分布区域对乳剂的感光性能都有影响.掺杂位置接近表面或接近颗粒几何核心时效果明显,掺杂位置接近富碘区域时,乳剂的感光度变化不明显或是下降.掺杂位置决定了掺杂剂的最佳用量,在66%-92%位置掺杂时,感光度提高最为显著.与未掺杂乳剂相比,最佳掺杂位置和最佳掺杂量乳剂的自由光电子与浅束缚光电子的寿命都有所延长.

关键词: 掺杂 , 浅电子陷阱 , K4[Ru(CN)6] , 溴碘化银T-颗粒乳剂 , 光电子寿命

掺杂AgCl中光电子衰减特性研究

代秀红 , 张荣香 , 李晓苇 , 董国义 , 杨少鹏 , 韩理

人工晶体学报

利用微波吸收介电谱检测技术,检测均匀掺杂[Fe(CN)_6]~(4-)盐的立方体AgCl微晶首次曝光后的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱.实验发现,随着掺杂浓度的增加,样品中自由光电子衰减时间逐渐从未掺杂时的116 ns延长至1133 ns.分析光电子衰减曲线还同时得到,随着掺杂浓度的增加,光电子的前期较慢衰减过程逐渐变快,后期较快衰减过程逐渐变慢,总体上衰减时间逐渐增加,且掺杂浓度变化对后期衰减影响较大.研究表明掺杂使得晶体中引入了能总体上延缓光电子衰减的浅电子陷阱,并且随掺杂浓度的增加,浅电子陷阱特征更加明显.

关键词: 微波吸收介电谱 , 掺杂浓度 , 光电子衰减 , 浅电子陷阱

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