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冷壁装置化学气相沉积制备纳米碳管

韩栋 , 乔生儒 , 邓波 , 李玫

材料导报

采用冷壁装置化学气相沉积(CVD)制备纳米碳管,以乙炔(C2H2)为碳源气体,研究了2种催化剂(镍、铁)、3种基底、3种稀释气体、3种稀释气体和碳源气体流量比以及温度对CVD法生长纳米碳管的影响,用SEM和TEM分析了产物的形貌.结果表明,镍催化活性高于铁的催化活性.与石墨和纯铁基底相比,以单晶硅基底生长的纳米碳管纯度更高,管壁更干净.3种稀释气体和碳源气体流量比(2/1、10/1、19/1)中,以流量比为10/1时生长纳米碳管效果最好.3种稀释气体(氨气、氢气、氮气)中,以氨气最好.随着生长温度的升高,催化剂的活性提高,有利于碳的有序排列,但生长的碳纳米管直径增大.当基底为单晶硅、催化剂镍膜厚度为20nm、氨气气氛、生长温度为850℃时,得到了近似定向生长的纳米碳管.

关键词: 冷壁CVD , 纳米碳管 , 催化剂 , 基底 , 稀释气体 , 流量比 , 温度

射频磁控溅射制备TiO2光催化薄膜的表征

郑树凯 , 郝维昌 , 潘峰 , 张俊英 , 王天民 ,

稀有金属材料与工程

在不同的Ar和O2气流量比下,利用射频磁控溅射技术在载波片上制备了TiO2薄膜.利用X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM),拉曼光谱和UV-VIS-NIR分光光度计等技术对薄膜进行了表征.结果表明在Ar∶O2=20 sccm∶5 sccm下制备的薄膜具有较高的光催化活性.

关键词: TiO2薄膜 , 流量比 , 表面粗糙度 , 光催化活性

源气体流量比对a_C:F:N薄膜的影响

张云芳

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.04.036

以CF4、CH4和N2的混合气体为源气体,利用rf-PECVD沉积技术制备了氮掺杂氟化非晶碳(a_C:F:N)薄膜,研究了源气体流量比对a_C:F:N薄膜沉积速率和结构的影响.用椭圆偏振光谱测试仪测量了薄膜厚度,结合沉积时间计算了薄膜的沉积速率(在18~21nm/min之间),随流量比增大,薄膜的沉积速率先升高后降低.FTIR光谱分析表明,随流量比增大,薄膜中含F量降低,交联结构增强.Raman光谱分析发现,薄膜中的碳原子由sp2和sp3两种组态的混合结构组成,并进一步证明,随流量比增大,薄膜中sp2键含量增加,交联程度增强.

关键词: 流量比 , 氮掺杂氟化非晶碳薄膜 , 拉曼光谱

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