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部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究

贺威 , 张恩霞 , 钱聪 , 张正选

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.013

采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS/SOI反相器,并对其进行60Co γ射线总剂量辐照试验.结果表明,受到同样总剂量辐射后,改性材料制作的反相器与标准SIMOX材料制作的反相器相比,转换电压漂移小的多,亚阈漏电也得到明显改善,具有较高的抗总剂量辐射水平.

关键词: 离子注入 , 注氧隔离 , 绝缘体上硅(SOI) , 总剂量辐射效应

硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固

王茹 , 张正选 , 俞文杰 , 毕大炜 , 陈明 , 刘张李 , 宁冰旭

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.017

本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固.辐射实验结果证明了该加固方法的有效性.PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,从而提高了材料BOX层的抗总剂量辐射能力.

关键词: 绝缘体上硅 , 注氧隔离 , 总剂量辐照 , 纳米晶

氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗

陈志君 , 张峰 , 王永进 , 金波 , 陈静 , 张正选 , 王曦

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.001

提出一种氧化增强注氧隔离工艺,在退火前氧化得到SiO2层,再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料.经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所制备的绝缘体上的SiGe材料锗含量没有发生损失,且应变弛豫完全.透射电镜和二次离子质谱分析结果显示样品多层结构清晰,埋氧层质量完好、平整度高、无不连续、无硅岛.研究表明,氧化增加工艺的引入是绝缘体上的硅锗材料锗质量提高的关键.

关键词: 绝缘体上的硅锗 , 注氧隔离 , 埋氧 , 氧化

SOI材料的制备技术

肖清华 , 屠海令 , 周旗钢 , 王敬 , 常青 , 张果虎

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2002.06.013

SOI材料被誉为"二十一世纪硅集成电路技术"的基础. 它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等, 在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景. 介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SOI材料的方法及近期相关的研究成果. 降低制造成本、提高材料质量以及获得足够薄的顶部硅层是近年来SOI材料制备技术改进的目标.

关键词: SOI , 注氧隔离 , 智能剥离 , 硅片键合与减薄 , 外延层转移

SOI NMOS晶体管在高剂量的X射线与60Coγ射线辐射作用下的背栅阈值电压漂移饱和效应的研究及比对

田浩 , 张正选 , 张恩霞 , 贺威 , 俞文杰 , 王茹

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.016

利用标准SIMOX材料制作了部分耗尽环型栅NMOS晶体管,并在ON偏置条件下分别对其进行了10keV X射线及60Coγ射线总剂量辐照实验.实验结果表明,在两种辐射条件下NMOS晶体管的背栅阈值电压漂移量都会随着辐照剂量的升高而趋于饱和.实验分析并研究了这种现象的机理,并发现在较低的辐照剂量下60Coγ射线造成的背栅阈值电压漂移量较大,但在高剂量条件下 X射线造成的漂移量将超过60Coγ射线.

关键词: 注氧隔离 , 绝缘体上硅(SOI) , 总剂量辐射效应 , MOS晶体管

氢氧复合注入对SOI-SIMOX埋层结构影响的研究

易万兵 , 陈猛 , 陈静 , 王湘 , 刘相华 , 王曦

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.004

实验研究了氢、氧复合注入对注氧隔离技术制备 SOI(Silicon On Insulator)材料埋层结构的影 响.用截面透射电子显微镜和二次离子质谱技术分析了退火前后材料的微结构变化.研究表明, 氢离子的注入有利于注氧隔离制备的 SOI材料埋层的增宽.进一步的结果表明,室温氢离子注入 导致的增宽效应比高温注入明显.

关键词: 注氧隔离 , 氢、氧复合注入 , 埋层增宽

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