曹小明
,
田冲
,
张劲松
,
刘强
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.02.021
采用高分子热解和反应烧结方法制备出泡沫碳化硅陶瓷,研究了泡沫碳化硅陶瓷的体积分数变化和钛的掺杂对泡沫碳化硅陶瓷骨架导电性能的影响.结果表明:随着泡沫碳化硅陶瓷的体积分数提高,泡沫碳化硅陶瓷的电阻率降低,这是泡沫碳化硅陶瓷筋中部碳化硅的面积增加所引起的;掺杂的钛转变成TiSi2导电相改善了泡沫碳化硅陶瓷的导电性能.TiSi2呈现离散和团聚两种形态分布,以不规则的形状位于碳化硅晶界之间,在碳化硅中作为施主杂质.泡沫碳化硅陶瓷表现出的正或负温度系数取决与掺杂的钛量的多少.
关键词:
无机非金属材料
,
泡沫碳化硅陶瓷
,
Ti掺杂
,
导电性能
曹小明
,
张劲松
,
胡宛平
,
杜庆洋
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.03.015
采用固相和液相反应法在泡沫碳化硅陶瓷骨架表面原位生长碳化硅晶须,研究了催化剂和反应温度的影响.结果表明,催化剂氯化镍的作用使硅与碳直接反应生长出细长的碳化硅晶须.在适当的反应温度下生长的碳化硅晶须的表面光滑,线径比较大,有少量的呈弯曲状或竹节状;反应温度过高使得硅晶须的缺陷较多.在泡沫碳化硅陶瓷骨架的表面原位生长出碳化硅晶须属于LS生长机理.具有表面晶须的碳化硅陶瓷以深床体积过滤的方式用于过滤柴油机汽车尾气中的碳颗粒,表面晶须既能提高泡沫陶瓷过滤器的过滤能力,又有利于过滤器的再生.
关键词:
泡沫碳化硅陶瓷
,
碳化硅晶须
,
原位生长
曹小明
,
田冲
,
张劲松
,
刘强
材料研究学报
采用高分子热解和反应烧结方法制备出泡沫碳化硅陶瓷,
研究了泡沫碳化硅陶瓷的体积分数变化和钛的掺杂对泡沫碳化硅陶瓷骨架导电性能的影响.
结果表明: 随着泡沫碳化硅陶瓷的体积分数提高, 泡沫碳化硅陶瓷的电阻率降低,
这是泡沫碳化硅陶瓷筋中部碳化硅的面积增加所引起的;
掺杂的钛转变成TiSi$_{2}$导电相改善了泡沫碳化硅陶瓷的导电性能.
TiSi$_{2}$呈现离散和团聚两种形态分布, 以不规则的形状位于碳化硅晶界之间,
在碳化硅中作为施主杂质. 泡沫碳化硅陶瓷表现出的正或负温度系数取决与掺杂的钛量的多少.
关键词:
无机非金属材料
,
null
,
null
