黄平
,
李婧
,
梁建
,
赵君芙
,
马淑芳
,
许并社
人工晶体学报
室温下,以CdSO4H1SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜.采用高分辨x射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外.可见.近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征.结果表明:所制备的薄膜为立方相CdSe,呈纳米颗粒状,部分粒子表现出不均匀团聚.紫外吸收光谱的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移,且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应.样品发射光谱表现出荧光现象,且单色性好.适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用,同时讨论了其反应机理.
关键词:
电化学沉积
,
CdSe薄膜
,
禁带宽度
,
沉积电压
王雅琴
,
黄剑锋
,
曹丽云
,
吴建鹏
材料导报
采用水热电泳沉积法在SiC-C/C复合材料SiC内涂层表面制备了硅酸钇抗氧化外涂层,并借助X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对涂层的相组成及显微结构进行了表征.讨论了沉积电压对硅酸钇涂层沉积量及显微结构的影响,并研究了不同沉积电压下涂层沉积量与时间的关系,同时测试了涂层试样的抗氧化性能.研究结果表明,随着沉积电压的升高,涂层的沉积量有所增加,涂层的致密性和均匀性也逐渐得到改善.当电压为210V时达到最佳,继续升高沉积电压,涂层的均匀性变差,当沉积电压为240V时,涂层出现明显开裂;不同沉积电压下涂层沉积量随时间呈抛物线变化;涂层在1500℃静态空气中经过10h氧化后,失重仍然小于2%.
关键词:
水热电泳沉积
,
C/C复合材料
,
硅酸钇涂层
,
沉积电压
龙飞
,
杜晶晶
,
邹正光
人工晶体学报
采用三电极体系,以钼片为工作电极,大面积铂网为辅助电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,以氯化铜、氯化铟、亚硒酸为原料,在无水乙醇溶液中,用阴极恒流和恒压两种沉积方法制备出CIS前驱体薄膜,采用XRD和EDAX对制备的薄膜进行了表征,分析了沉积方式、镀液离子浓度、导电盐(LiCl)含量及热处理工艺等因素对薄膜成分及形貌的影响,并对电沉积CIS薄膜的机理进行了初步探讨.在最优条件下所制备的薄膜成分接近标准比且表面致密、均匀.
关键词:
电沉积
,
CIS薄膜
,
电流密度
,
沉积电压
马静
,
孟凡曼
,
焦世坤
材料保护
Cr2O3薄膜具有保护性,采用电沉积-热解法制备还未见报道.采用电沉积-热解法在304不锈钢表面制备Cr2O3薄膜,并将其于900℃高温氧化100 h,研究了电沉积溶液[Cr(NO3)3酒精]浓度、沉积电压对Cr2O3薄膜抗高温氧化性能的影响,分析高温氧化样的组织结构.结果表明:电沉积-热解法制备的Cr2O3薄膜显著提高了304不锈钢的抗高温氧化性能;沉积电压为25 V,电沉积溶液浓度为0.10 mol/L条件下制备的Cr2O3薄膜抗高温氧化性能最佳.
关键词:
Cr2O3薄膜
,
电沉积-热解法
,
Cr(NO3)3酒精溶液
,
沉积电压
,
高温氧化性能
薛晋波
,
李雪方
,
梁伟
,
王红霞
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2013.01.005
以SeO2·CdCl2·5/2H2O,H2SO4为原料,采用三电极体系,分别在ITO玻璃和TiO2纳米管阵列基底上沉积CdSe薄膜.研究了不同沉积电压(-0.6,-0.7,-0.8,-0.9V,均相对于SCE)下制备的复合薄膜的晶体结构和微观形貌,并测试了其光电性能.结果表明:制备出的纳米粒子呈不均匀团聚状态；随沉积电压的增大,光吸收增强,光响应电流增大,在沉积电压为-0.8V时复合薄膜的光响应电流达到最大值,但此沉积电压下的薄膜容易剥落.综合考虑薄膜质量和光响应电流,沉积电压为-0.7V时制备的复合薄膜最佳.
关键词:
电化学沉积
,
TiO2纳米管
,
沉积电压
,
CdSe纳米晶薄膜
王文静
,
黄剑锋
,
曹丽云
复合材料学报
为了提高生物惰性材料C/C的生物活性以及C/C基体与生物活性材料羟基磷灰石(HAp)的结合强度,以丙烯酰胺单体(AM)和声化学制备的纳米HAp为原料,异丙醇为分散介质,采用水热电泳聚合沉积法在C/C复合材料表面制备了羟基磷灰石-聚丙烯酰胺(HAp-PAM)生物复合涂层.用XRD、TEM、SEM、FTIR、力学性能测试等手段对涂层的相组成、官能团、断面的微观形貌及结合强度进行了测试和表征,研究了水热沉积电压对复合涂层结构和性能的影响.结果表明:随着沉积电压的升高,涂层中HAp的衍射峰呈现先增强后减小的趋势,PAM的衍射峰逐渐消失;涂层的结合强度随着电压的升高先增强后减小.沉积电压为150 V时,涂层的致密性和均匀性达到最佳,涂层的厚度以及涂层与基体的结合强度分别达到最大值25μm和19 MPa.
关键词:
C/C复合材料
,
HAp-PAM生物复合涂层
,
沉积电压
,
结合强度
王博
,
黄剑锋
,
刘淼
,
曹丽云
,
吴建鹏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01291
采用水热电泳沉积法在SiC-C/C复合材料表面制备纳米碳化硅和二硅化钼的复相(SiCn-MoSi2)抗氧化涂层.分别采用XRD和SEM等测试手段对涂层的晶相组成和显微结构进行了表征.丰要研究了沉积电压对涂层显微结构及高温抗氧化性能的影响,分析了涂层试样在1500℃下的静态氧化行为及热循环失效机理.结果表明:外涂层主要由MoSi2和β-SiC晶相组成.当沉积电压为100～180V时,外涂层的致密程度、厚度及抗氧化性能随着沉积电压的升高而提高.沉积电压过高(220V)时,复合涂层中出现裂纹等缺陷,涂层的氧化保护能力相应减弱.抗氧化性能测试表明复合涂层可在1500℃静态空气中有效保护C/C复合材料346h,失重率仅1.41wt%.涂层的高温失效是由于涂层试样在热循环过程中产生了贯穿性裂纹导致的.
关键词:
C/C复合材料
,
复合涂层
,
水热电泳沉积
,
沉积电压
王春梅
,
杨立荣
,
段满珍
,
靳正国
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2008.01.017
采用电化学沉积法制备纳米ZnO多孔薄膜.并用XRD、SEM、XPS等方法研究了沉积电压对薄膜表面形貌及薄膜表面元素态的影响.结果表明:沉积电压越大,越有利于薄膜片状晶的长大,且形成多孔结构;随着沉积电压的增大,薄膜表面从缺氧到富氧,再到缺氧;沉积电压为-1.0V时,薄膜为层状结构,其2μm厚的薄膜在可见光范围内的光透射率为75%,光学带隙宽度为3.6eV.
关键词:
电化学沉积
,
ZnO薄膜
,
沉积电压
