贺文兰
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程孝虎
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张星
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李广
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金绍维
低温物理学报
采用脉冲激光沉积法在（100）0．7wt％Nb：SrTi03（NSTO）衬底上制备了La0．8Sr0．2Mn03（LSMO）／NSTO（100）异质结，仔细研究了原位沉积氧压和真空退火对LSMO／NSTO异质结的结构及其整流伏安特性的调控．X-射线线性扫描和原子力显微镜测量显示，低氧压制备的LSMO／NST0（100）异质结具有良好的外延结构和平整的表面．电流-电压（I-V）盐线显示，沉积氧压为100mTorr的异质p～n结展现出极好的整流伏安特性；而氧压为240mTorr的异质p～n结平缓增加的电流可解释为异质P～n结在界面处晶格缺陷的增加．作为对比，沉积氧压调控的LSMO／SrTiO3（100）薄膜的输运性也被研究．电阻率结果显示，低氧压制备的LSMO薄膜，其电阻率的增加及金属-半导体转变温度L的降低归因于氧空位增加诱导的Mn4＋离子减少及MnO6八面体的畸变．
关键词:
沉积氧压
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异质结
,
整流特性
,
输运性
孟影
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金绍维
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高娟
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圣宗强
材料导报
不同厚度的Nd0.7Sr0.3MnO3(NSMO)外延膜是由脉冲激光沉积生长在(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7(LSAT)(001)衬底上的.X射线衍射(XRD)和电阻率测量结果显示,沉积氧压为21.333Pa时薄膜c轴参数随着膜厚的减小而增加,同时金属-绝缘体的转变温度TP下降,电阻率增大；另一组生长在27.999Pa氧压下,厚度为120nm的薄膜单胞体积随着退火温度的升高而增大,同时电阻率升高,TP下降.上述结果归因于低的原位沉积氧压和真空退火引起的氧缺失导致n(Mn3+)/n(M甜+)的增大以及MnO6八面体的畸变.结果表明,对超薄的应变薄膜,要获得较高的TP值,较高的沉积氧压是必需的,同时应仔细考虑真空退火对薄膜性能的影响.
关键词:
外延膜
,
沉积氧压
,
真空退火
,
输运特性
