周秋霞
,
史新伟
,
靳慧智
,
姚宁
,
王新昌
材料导报
概述了金刚石薄膜与衬底附着力研究的最新进展,详细讨论了衬底材料的性质、衬底预处理方法、过渡层、负偏压以及CVD沉积条件对金刚石薄膜附着力的影响,总结出提高附着力的主要方法,并分析了金刚石薄膜的应用状况,指出了扩大金刚石薄膜应用的新方向及存在的主要问题.
关键词:
金刚石薄膜
,
附着力
,
预处理
,
过渡层
,
沉积条件
赵林
,
樊占国
,
杨中东
,
田昂
,
国栋
材料与冶金学报
doi:10.3969/j.issn.1671-6620.2007.04.009
采用电沉积方法制备了铜钴巨磁电阻功能膜,研究了电沉积工艺参数,包括镀液的主盐离子浓度、配合剂浓度、pH值以及沉积时的电流密度等对铜钴颗粒膜层的组成的影响.用扫描电镜、金相显微镜、EDX能谱仪和XRD分析了镀层组成、表面形貌和结构.膜层的组成成分、晶粒大小与镀液的主盐离子浓度、配合剂浓度、pH值以及沉积时的电流密度有着直接的联系.镀液中钴离子浓度增大时,镀层中的钴含量相应的提高,镀层结晶更加粗大.镀层中铜离子浓度增大时,镀层中的铜含量提高,镀层结晶变得致密.配合剂柠檬酸钠浓度增加对镀层中钴的含量起到一定的抑止作用,而对铜的沉积则有促进作用,同时颗粒膜层结晶更加致密.低pH值下有利于铜的沉积,但此时镀层的晶粒较为粗大.控制电流密度可以改变镀层的组成,较高的电流密度有利于钴的沉积.
关键词:
电沉积
,
沉积条件
,
铜钴颗粒膜
,
组成
王迎春
,
李延民
,
丁建君
,
俞海良
,
李建国
,
周尧和
功能材料
脉冲激光沉积法制备HAP生物陶瓷涂层是近年来发展的制备生物陶瓷涂层的一个十分活跃的研究领域.本文简要介绍了它的研究背景、原理与特点,并对其四个研究方向-溅射机理,沉积条件与涂层质量的关系,脉冲激光沉积新工艺,HAP涂层的生理功能的研究现状进行了概括与总结.
关键词:
脉冲激光沉积
,
生物陶瓷涂层
,
溅射机理
,
沉积条件
,
生物相容性
魏化震
,
王启芬
,
陈刚
,
范汶鑫
,
于倩倩
,
王延相
,
王成国
,
崇琳
,
王志远
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20150410.001
采用化学气相沉积(CVD)法在碳纤维(CF)表面原位生长碳纳米管(CNTs).考察了不同催化剂、沉积温度、氢气流量以及样品距进气口距离等工艺参数对CNTs-CF生长的影响.利用SEM和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对CNTs-CF形貌和微结构进行了表征和分析.结果表明:在CF表面原位生长的CNTs为多壁结构,其中以Ni为催化剂得到的CNTs直径小、分布均匀;在600～750℃温度范围内,随着温度的升高,CNTs直径和长度减小,产量降低;随着氢气流量的增加,CNTs直径和长度均增加;距进气口30 cm,在CF表面得到的CNTs覆盖率高、直径小且分布窄,有利于制备高质量CNTs.
关键词:
碳纳米管
,
碳纤维
,
化学气相沉积法
,
原位生长
,
沉积条件
,
结构
张建辉
,
郑艳真
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20151112.001
为了研究低温各向同性热解炭(LTIC)的微观结构及沉积机制,采用不同体积分数的丙烷为碳源,在不同的沉积温度下进行稳态流化床化学气相沉积实验制备 LTIC,借助 SEM 和 TEM 对不同沉积条件下制备的LTIC微观结构进行表征和分析。结果表明：不同沉积条件下制备的 LTIC 由类球形颗粒状和片层状炭结构组成,沉积温度升高,降低了热解炭在气相中的形核势垒,LTIC中类球形颗粒数量增多,尺寸变小,且类球形颗粒内包围炭黑颗粒的炭层织构逐渐降低；丙烷体积分数升高,热解炭沉积过程逐渐由以表面生长机制为主转变为以气相形核机制为主,所制备的 LTIC中类球形颗粒形貌越来越明显,而片层状炭结构逐渐减少甚至完全消失。
关键词:
化学气相沉积
,
流化床
,
低温各向同性热解炭
,
沉积条件
,
微观结构
,
沉积机制
肖鹏
,
徐永东
,
黄伯云
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.040
以CH3SiCl3为源物质,H2为载气,Ar气为稀释气体,研究了沉积温度和沉积气氛压力对SiC沉积形貌的影响.应用晶体成核-长大理论和SiC沉积热力学理论,解释了SiC沉积的各种形貌.研究表明:降低系统压力和提高沉积温度,能减小SiC在气相中形核所需的最大能量,促进形核.SiC沉积热力学随沉积条件的改变决定了SiC沉积形貌的改变.
关键词:
SiC
,
形貌
,
沉积热力学
,
沉积条件
崔玉建
,
葛洪良
,
黄丽红
,
周红
,
韩雁冰
,
刘亚丕
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.01.066
报道了以钨酸钠、硫酸钴和二亚硝酸二胺铂为主盐、以柠檬酸盐为络合剂电沉积钴铂钨合金的工艺过程. 研究了镀液中钨盐浓度、络合剂浓度、电流密度、镀液温度等沉积条件对钴铂钨合金成份的影响. 结果表明, 在实验条件下, 镀液中钨盐含量的增加、电流密度的增大和镀液温度的升高都会引起合金镀层中的钨含量增大. 络合剂用量的增加使合金镀层中的钨含量下降, 而使钴和铂的含量增加.
关键词:
CoPtW
,
电沉积
,
沉积条件
刘健敏
,
夏义本
,
王林军
,
张明龙
,
苏青峰
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.04.041
采用不同的沉积条件,通过HFCVD方法制备了四种不同质量、不同取向的CVD金刚石薄膜.讨论了薄膜退火前后的介电性能.研究了不同沉积条件和退火工艺与介电性能之间的联系.通过扫描电镜SEM、Raman光谱、XRD、I-V特性曲线以及阻抗分析仪表征CVD金刚石薄膜的特性.结果表明,退火工艺减少了薄膜吸附的氢杂质,改善了薄膜质量.获得的高质量CVD金刚石薄膜具有好的电学性能,在50V偏压条件下电阻率为1.2×1011Ω·cm,频率在2MHz条件下介电常数为5.73,介电损耗为0.02.
关键词:
退火工艺
,
化学气相沉积金刚石薄膜
,
沉积条件
