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水平温梯冷凝法生长ZnGeP2单晶

吴海信 , 陈林 , 王振友 , 黄飞 , 倪友保 , 毛明生

功能材料

采用高纯(6mol/L)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.2%配料,通过双温区法合成ZnGeP2多晶粉料,再用水平温梯冷凝法(HGF)生长出尺寸达10mm×20mm×80mm的单晶棒.对单晶进行了X射线衍射、红外透过率、热导率等测试,测试结果表明;单晶完整性好,红外透过率较高;5mm厚晶片(未退火、镀膜)在2~8μm范围内平均透过率可达54%以上;在室温附近(297.34K)热导率为35.89W/(m·K).

关键词: 磷锗锌 , 水平温梯冷凝法 , X射线粉末衍射 , 红外透过率 , 热导率

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