田颖萍
,
范洪远
,
成靖文
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2012.03.006
采用直流反应磁控溅射法,通过控制氮氩流量比,在Si(111)衬底上沉积了TiN薄膜,并用织构系数来量化TiN薄膜的生长取向.对TiN薄膜的织构、物相组成、形貌进行表征,分析了溅射沉积过程中氮氩流量比对TiN薄膜生长织构的影响,同时还分析了不同织构薄膜的表面及截面形貌.结果表明:氮氩流量比低于1:30时,薄膜的织构由(200)转变为(111),同时还出现了TiN061相;(111)织构的薄膜表面均匀,致密性好,粗糙度小,以氮氩流量比为1:60时所得织构系数为1.63的(111)薄膜最好.
关键词:
氮氩气压比
,
氮化钛薄膜
,
织构
,
磁控溅射