秦志新
,
陈志忠
,
于彤军
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张昊翔
,
胡晓东
,
杨志坚
,
李忠辉
,
张国义
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.01.001
研究了热退火对InGaN/GaN 多量子阱LED的Ni/Au-p-GaN欧姆接触的影响.发现在空气和 N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象. Ni/Au-p-GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的 N2 中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复.同时对Ni/Au-p-GaN 接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论.
关键词:
氮化镓基LED
,
欧姆接触
,
氧化
