王守坤
,
孙亮
,
郝昭慧
,
朱夏明
,
袁剑峰
,
林承武
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122705.0613
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜,对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究.结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)高于非基板支撑梢区域,氢含量及[SiH/NH]值高于非基板支撑梢；对氢化非晶硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)小于非基板支撑梢区域,氢含量高于非基板支撑梢.并对成膜影响的机理进行了分析讨论.
关键词:
等离子体增强化学气相沉积法
,
基撑梢
,
氮化硅膜
,
氢化非晶硅膜
,
傅里叶红外分析
王守坤
,
郭总杰
,
袁剑峰
,
林承武
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142903.0355
对FFS-TFT制作工艺中,与氮化硅膜层接触的透明电极ITO发生的雾状不良进行分析研究.通过扫描电子显微镜、宏观/微观显微镜和背光源测试设备对样品进行分析.结果显示接触层的等离子体界面处理对ITO的透过率和膜质特性有较大影响,可导致严重的雾状不良发生和刻蚀工艺中的膜层下端过度刻蚀的问题.通过在透明电极ITO上面沉积微薄的过渡缓冲膜层,并优化界面等离子体处理条件,可以改善雾状不良.
关键词:
铟锡氧化物
,
薄雾不良
,
边缘场开关薄膜晶体管
,
等离子体化学气相沉积
,
氮化硅膜
,
透过率
