刘美
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谭毅
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许富民
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李佳艳
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闻立时
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张磊
机械工程材料
选用四种溶液与不同含量的氮化硅粉体混合得到不同的悬浊液，在石英坩埚内壁制备了氮化硅涂层，并将其用于冶金法提纯多晶硅；用扫描电镜、电子探针等分析了多晶硅铸锭与坩埚内壁的粘连面积、铸锭表面微裂纹形貌和反应层厚度，得到与最佳多晶硅铸锭脱模相对应的制备涂层的工艺参数，同时分析了熔炼过程中氮化硅涂层与硅熔体间的反应机制。结果表明：将含质量分数为8％聚乙烯吡咯烷酮的乙醇溶液和质量分数为60％氮化硅的悬浊液喷涂到坩埚内壁上，并经210℃×15min烧结后的氮化硅涂层不易分解，坩埚内壁保持完整，铸锭的脱模效果最好；随熔炼温度升高氮化硅涂层分解加剧，在涂层与硅铸锭的接触面处形成了由大颗粒氮化硅组成的连续层，减小了坩埚和涂层中杂质向硅铸锭内部扩散的可能性。
关键词:
太阳能电池
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多晶硅
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氮化硅涂层
,
坩埚
罗大伟
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孙金玲
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张爽
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张国良
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李廷举
功能材料
当今多晶硅已成为最主要的光伏材料,利用定向凝固工艺生产铸造多晶硅铸锭已成为业界广为采用的方法,但目前利用定向凝固工艺生产出来的多晶硅铸锭仍存在较多的缺陷,例如材料利用率低以及组织不均匀等问题.为了进一步优化铸造工艺,采用自行设计的真空电磁感应熔炼炉及定向凝固炉进行了多晶硅定向凝固实验.重点对比研究了石英坩埚和石英陶瓷坩埚对铸锭质量的影响.研究表明相对于石英坩埚而言,具有涂层的石英陶瓷坩埚不但可以防止铸锭产生裂纹,而且铸造出的多晶硅铸锭具有表面质量好以及相对发达粗大的柱状晶组织,平均晶粒尺寸为3～4mm.同时氯化硅涂层可以有效地降低铸锭中杂质氧的含量.
关键词:
铸造多晶硅
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石英陶瓷坩埚
,
氮化硅涂层
李家亮
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牛金叶
硅酸盐通报
以甲硅烷(20％甲硅烷+80％氢气)和氨气作为反应前驱体,选择孔隙率为20％左右的多孔石英陶瓷基体,采用CVD法在多孔石英基体表面制备了氮化硅涂层.研究了沉积反应温度、反应压力、反应气体配比以及沉积时间等工艺参数对附着力的影响,确定了CVD法制备氮化硅涂层的最佳工艺参数,通过对所得涂层及复合材料进行抗弯强度和介电性能的表征,探讨了氮化硅涂层对多孔石英基体力学性能和介电性能的影响.
关键词:
CVD
,
多孔石英陶瓷
,
氮化硅涂层
尹立峰
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王思青
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张长瑞
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崔岩
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徐晓燕
材料导报
采用HSiCl3-NH3-N2(稀释气体)体系在石英陶瓷基板上通过低压化学气相沉积(LPCVD)法沉积出了Si3N4涂层,研究了工艺条件对涂层沉积速率的影响.结果表明,在没有稀释气体的情况下,随着沉积温度升高,Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加,在850℃附近达到最大值,随着反应温度的进一步升高,涂层沉积速率下降.当存在稀释气体时,在所选温度范围内随着沉积温度的升高,Si3N4涂层的沉积速率一直增大,反应的表观活化能约为222KJ/mol.随着原料中NH3/HSiCl3流量比值的增大,Si3 N4涂层的沉积速率逐渐增加,随后稳定,但稍有下降趋势.在所选稀释气体流量范围内,Si3N4涂层的沉积速率随着稀释气体流量的增加而增大.
关键词:
LPCVD
,
氮化硅涂层
,
沉积速率
