龚树文
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陈皓侃
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李文
,
李保庆
催化学报
以N2-H2混合气为反应气,与三氧化钼进行多段程序升温反应制得了氮化钼. 考察了反应气组成和氮化温度等条件对氮化钼结构组成的影响. 结果表明,在n(N2)/n(H2)=0.25～1,θ=650～750 ℃的条件下,生成的氮化钼结构组成为β-Mo2N0.78. 其生成机理与γ-Mo2N有类似之处. Β-Mo2N0.78催化噻吩加氢脱硫反应的结果表明,β-Mo2N0.78催化剂对该反应有较高的催化活性,在360 ℃下,其活性比硫化钼催化剂高一倍左右.
关键词:
氮化钼
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噻吩
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加氢脱硫
,
程序升温反应
,
氮化温度
曹文田
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孙振翠
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魏芹芹
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薛成山
,
庄惠照
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高海永
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.019
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响.测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了GaN与Si衬底的热失配.同时显示:在相同的氮化温度下,晶粒尺寸随氮化时间的增加而增大,薄膜的晶化程度相应的得到提高.
关键词:
射频磁控溅射
,
Ga2O3薄膜
,
GaN晶体膜
,
氮化温度
肖洪地
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马洪磊
,
薛成山
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胡文容
,
马瑾
,
宗福建
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张锡健
稀有金属材料与工程
在950℃的氮化温度下,通过单氢氧化镓(GaO2H)粉末与流动的NH3反应35 min制备出粒状GaN微晶.通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究发现,GaN粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,其晶格常数a和c分别为0.3191 nm和0.5192 nm.X射线光电子能谱(XPS)揭示试样中有Ga-N键形成,Ga与N两元素比为1∶1.
关键词:
GaO2H粉末
,
粒状GaN微晶
,
氮化温度
肖洪地
,
马洪磊
,
薛成山
,
马瑾
,
宗福建
,
张希键
,
计峰
,
胡文容
功能材料
在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状为棒状.
关键词:
Ga2O3粉末
,
GaN粉末
,
氮化温度
