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氨气流量对GaN纳米线生长及性能的影响

曹玉萍 , 薛成山 , 石锋 , 孙海波 , 刘文军 , 郭永福

功能材料

利用磁控溅射技术在Si衬底上沉积Ga_2O_3/Co薄膜,然后在不同氨气流量下于950℃退火15min.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶红外吸收(FTIR)光谱、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品进行了分析表征.结果表明,氨气流量对GaN纳米线的生长及性能有很大影响.简单讨论了GaN纳米线的生长机理.

关键词: GaN , 纳米线 , 氨气流量 , 溅射 , 生长机制