孙玉宝
,
傅莉
,
任洁
,
查钢强
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.05.019
本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺.通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷以及漏电流的影响.研究结果表明,表面氧离子刻蚀在CdZnTe晶体表面形成了致密氧化层.刻蚀功率过大时,刻蚀过程中氧离子轰击会对CdZnTe晶体表面造成损伤,使表面漏电流急剧增大.减小刻蚀功率,延长刻蚀时间,可以增强刻蚀过程中的化学作用,减少CdZnTe晶片的表面氧化与损伤,使表面漏电流降低.
关键词:
氧离子刻蚀
,
CdZnTe晶片
,
表面性能
