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氧气分压和热处理温度对制备玻璃基二氧化钛薄膜的表面形貌和光学性能的影响

赵青南 , 李春领 , 赵修建

稀有金属材料与工程

用直流反应磁控溅射法制备了玻璃基TiO2薄膜.溅射过程中,Ar气的分压保持在0.85Pa不变,而O2 的分压在0.10Pa~0.65Pa之间变化;镀膜试样在400℃~550℃之间进行热处理.用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和紫外-可见光谱仪研究了薄膜的表面形貌、薄膜沉积速率和光学带隙宽度.结果表明,随着氧气分压从0.10Pa增加到0.65Pa,薄膜沉积速率从4.4nm/min下降到2.2nm/min,光学带隙从3.67eV下降到3.59eV,薄膜表面呈现出均匀的纳米晶粒和纳米孔;550℃热处理有助于较致密薄膜形成纳米晶粒和纳米孔,并降低带隙宽度.

关键词: 玻璃基TiOx薄膜 , 纳米晶粒和纳米孔 , 氧气分压 , 磁控溅射 , 热处理

射频磁控溅射法制备SnO2:Sb透明导电薄膜的光电性能研究

陈甲林 , 赵青南 , 张君

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.05.010

采用射频磁控溅射法在载波片玻璃衬底上制备了锑掺杂二氧化锡(SnO2:Sb)透明导电薄膜.利用霍耳效应实验、紫外可见光光谱仪、n(折射率)k(消光系数)d(薄膜厚度)光谱仪对该导电薄膜的光电性能进行了测试.讨论了氧气分压对样品光电性能的影响,增加氧气分压,薄膜的厚度减小、吸收边和截止波长蓝移,光学带隙增大,并且氧气分压对薄膜电阻率、载流子浓度和霍耳迁移率的影响不是线性的,而是存在一个最佳值.当氧气分压为0.10 Pa时,薄膜的光电性能最佳,此时膜厚为399 nm,可见光平均透过率为70 %,电阻率为2.5×10-3 Ω·cm,载流子浓度为1.2×1021 cm-3,载流子霍耳迁移率为2.04 cm2·V-1·s-1,其光电特性已达到了TFT-LCD透明电极的要求.

关键词: 射频磁控溅射 , 透明导电薄膜 , 光电性能 , 氧气分压

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