马仙梅
,
荆海
,
马凯
,
王龙彦
,
王中健
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.03.013
采用MOCVD法在SiNx绝缘薄膜上生长了ZnO薄膜,通过X射线衍射与光致发光光谱表征了ZnO薄膜的质量.其结果是:XRD特征峰半高全宽0.176°,光致发光仅有381.1nm的发光峰,展现了ZnO薄膜光电特性的优势.制备了底栅型ZnO薄膜晶体管,测试表明器件具有明显的场效应特性及饱和特性.
关键词:
氧化锌薄膜晶体管
,
氧化锌薄膜
,
X射线衍射
,
光致发光
