杜纪富
,
展长勇
,
黄宁康
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.002
用动态离子束混合技术在铁基材料表面上制备氧化钽薄膜.用Ar+束溅射沉积薄膜的同时,分别用100 keV,2×1017/cm2的O+离子或100 keV,8×1016/cm2的Ar+进行辐照.对两种工艺下生成的氧化钽薄膜进行了XPS、AES及RBS分析研究,结果发现,Ar+辐照下制备的氧化物薄膜主要由符合化学剂量比的Ta2O5化合物组成,引入的碳污染少.O+辐照下制备的薄膜生成了低价的氧化钽,引入了大量的碳污染.
关键词:
氧化钽薄膜
,
动态离子束混合
,
XPS
,
AES
王超
,
庄大明
,
张弓
,
吴敏生
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.03.019
采用直流脉冲反应磁控溅射方法制备了高介电常数五氧化二钽(Ta2O5)薄膜.利用Ta/Ta2O5/Ta的MIM电容结构分析了Ta2O5的电学性能,研究了上电极面积对Ⅰ-Ⅴ特性的影响、Ⅰ-Ⅴ曲线的对称性和零点偏移以及薄膜缺陷和基底粗糙度对MIM电学性能的影响.结果表明,随着上电极面积增大,电容的漏电流密度增大,击穿场强减小.氧化钽薄膜中缺陷的存在和粗糙度增大容易引起漏电流增大,击穿强度降低.当上电极直径为1 mm时,MIM电容的性能最佳:击穿强度为2.22MV/cm,漏电流密度低于1×10-8A/cm2.
关键词:
无机非金属材料
,
氧化钽薄膜
,
磁控溅射
,
金属-绝缘体-金属
,
Ⅰ-Ⅴ特性
张幸福
,
魏爱香
,
侯通贤
人工晶体学报
采用直流磁控反应溅射技术制备氧化钽薄膜,重点研究了溅射气体中Ar:O2比例和退火温度对样品的结构.成份和介电性能的影响.XRD、XPS和介电谱分析表明:Ar:O2比例对薄膜的结晶性能和薄膜中O/Ta原子比有较大影响,但对薄膜的介电性能没有明显的影响.900℃退火后,XRD谱中出现明显的β-Ta2O5(001)和(200)衍射峰;介电损耗谱表明介质的损耗是由微弱的电导产生的,漏电电流在损耗中占主导地位.
关键词:
氧化钽薄膜
,
磁控反应溅射
,
介电性能
杨声海
,
刘银元
,
邱冠周
,
唐谟堂
稀有金属材料与工程
Ta2O5薄膜层具有较高的介电常数、折射率以及和ULSI加工过程中的相容性,因而将在硅芯片栅层材料、动态随机存储器、减反膜、气敏传感器、太阳能光伏电池面板介电层等方面得到应用.对以Ta(OC2H5)5为原料,通过常规金属有机化合物气相沉积、光致化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积、原子层化学气相沉积和脉冲化学气相沉积法制各Ta2O5薄膜进行了评述,并对这些方法存在的问题进行了分析.
关键词:
乙醇钽
,
氧化钽薄膜
,
化学气相沉积
