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陶绍军 , 桑文斌 , 钱永彪 , 闵嘉华 , 方雅珂
人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.02.016
本文主要讨论CZ法生长TeO2晶体中温度梯度、拉速、转速等工艺参数对晶体质量的影响,分析了晶体开裂、包裹物等宏观缺陷以及位错等微观缺陷的形成机理.从晶体形态、包裹体和位错密度变化等方面探讨了晶体生长参数与晶体缺陷之间的内在关系.
关键词: 氧化碲晶体 , CZ法 , 工艺参数 , 晶体缺陷
