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陈城钊 , 林璇英 , 林揆训 , 余云鹏 , 余楚迎
功能材料
利用氢等离子体加热晶化n+-a-Si∶H/a-Si∶H薄膜,可以在450℃的衬底温度下制备多晶硅薄膜.采用X射线衍射谱、Raman散射谱和扫描电子显微镜等手段进行表征和分析,研究了不同退火条件对薄膜晶化的影响.结果表明,随着射频氢等离子功率的提高、衬底温度升高和退火时间的增加,薄膜的晶化度呈现出增加趋势.
关键词: 多晶硅薄膜 , 氢等离子体加热 , 退火工艺 , 晶化度
