周怀恩
,
陈光华
,
朱秀红
,
阴生毅
,
胡跃辉
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.019
氢化非晶硅薄膜具有优异的光电特性,在制备薄膜太阳能电池中有重要的应用.本文采用热丝辅助MWECR CVD技术,通过调整各种工艺参数,制备了高沉积速率(DR＞2.5nm/s)及高光敏性(σph/σD＞105)的氢化非晶硅薄膜.实验表明,在衬底表面温度的分布中,热丝辐射和离子轰击引起的温度对薄膜的光敏性影响较大;在薄膜沉积的最后几分钟适当加大H2稀释率,有利于薄膜光电特性的改善.
关键词:
氢化非晶硅
,
氢稀释率
,
电子回旋共振化学气相沉积
,
光敏性
程碧胜
,
雷青松
,
徐静平
,
薛俊明
人工晶体学报
利用射频等离子体增强化学气相沉积工艺(RF-PECVD)制备非晶硅锗薄膜,研究氢稀释率和衬底温度对薄膜光电性能的影响.通过二者的优化制备出光学带隙1.5 eV、光敏性6×104的高质量非晶硅锗薄膜.在此基础上制备出效率为6.65％的非晶硅锗(a-SiGe∶H)单结太阳能电池.
关键词:
非晶硅锗
,
氢稀释率
,
衬底温度
,
太阳能电池
