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室温离子注氢CeO2的微结构及价态研究

王卫国 , 保田英洋 , 褚凤敏 , 宋明晖 , 古屋一夫

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2003.05.007

利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)及电子能量损失谱(EELS)对室温下注入氢离子的CeO2烧结体的显微组织结构和价态进行了原位观察和分析.结果表明:室温注氢,虽可以使严重损伤区内氧的状态发生明显改变,却不能引起CeO2的相转变及Ce的价态改变;这一结果可能与氢离子因尺寸太小不能占据CeO2的正常格点位置从而无法有效形成氧空位以及室温下CeO2中Ce和O的扩散比较困难等因素有关.

关键词: 氢离子注入 , CeO2 , 微结构 , 价态

氢离子注入GaAs晶片表面剥离机理

郭育林 , 倪敏璐 , 周嘉 , 竺士炀 , 黄宜平

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.012

为了更深入的了解GaAs经氢离子注入后的剥离特性,实验研究了GaAs晶片经6×1016 /cm2剂量氢离子以不同能量注入,再经过不同温度和不同时间的退火过程后,晶片表面的剥离情况.研究表明:注入能量小的晶片较容易表面剥离,当注入能量大到一定程度,表面将不会出现剥离的现象;在相同的注入能量情况下,GaAs晶片的表面剥离随着退火温度的升高、退火时间的增加变得更加的显著.晶片在300 ℃下退火后,未发现有剥离现象,实验发现GaAs的临界剥离温度在300-400 ℃之间.研究结果有助于优化GaAs/Si异质结构材料的智能剥离制备工艺.

关键词: GaAs , 智能剥离 , 异质结构材料 , 氢离子注入

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