王守坤
,
孙亮
,
郝昭慧
,
朱夏明
,
袁剑峰
,
林承武
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122705.0613
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜,对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究.结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)高于非基板支撑梢区域,氢含量及[SiH/NH]值高于非基板支撑梢；对氢化非晶硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)小于非基板支撑梢区域,氢含量高于非基板支撑梢.并对成膜影响的机理进行了分析讨论.
关键词:
等离子体增强化学气相沉积法
,
基撑梢
,
氮化硅膜
,
氢化非晶硅膜
,
傅里叶红外分析
