丁士进
,
张庆全
,
张卫
,
王季陶
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.06.022
以正硅酸乙酯(TEOS)和八氟环丁烷(C4Fs)为原料,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜(SiCOF).样品的X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析表明薄膜中含有Si-F、Si-O、C-F、C-CFx、CF2等构型.刚淀积的薄膜的折射率约为1.40.对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量,并对其变化机理进行了讨论,同时表明了理想的淀积温度应是300°C.
关键词:
等离子体增强化学气相淀积
,
氟碳掺杂的氧化硅薄膜
,
X射线光电子能谱
,
傅立叶变换红外光谱
,
折射率
