付泽华
,
李焕勇
,
李辉斌
人工晶体学报
以高纯的Zn、Mg以及Se2单质为生长原料,加入高纯的碘单质作为反应输运剂,采用化学气相输运(CVT)方法成功制备了ZnMgSe单晶,并且分别采用X射线衍射、双晶衍射、紫外可见分光光度计、红外光谱仪以及光致发光(PL)技术研究了晶体的结构、结晶质量以及光学性质.结果表明,制备的单晶结晶性能良好,在500 ～ 1500 nm波长范围内的透过率接近50％,在400 ～ 4000 cm-1波长范围内的透过率达到42％,在2.0～2.6 eV范围内有三个明显的空位与杂质发光带.以Zn、Mg及Se2单质为生长原料,在输运剂I2的帮助下可以实现ZnMgSe单晶的生长.
关键词:
ZnMgSe单晶
,
气相生长
,
输运剂
,
光学性质
曾体贤
,
赵北君
,
朱世富
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何知宇
,
卢大洲
,
陈宝军
,
唐世红
人工晶体学报
采用垂直无籽晶气相法(VUVG)生长出尺寸达26 mm×45 mm的CdSe单晶体,对CdSe晶体的稳态气相生长速率进行了深入讨论.采用气相升华法提纯后的CdSe多晶原料的X射线粉末衍射谱与PDF卡片值(65-3436)吻合,生长出的单晶体{100}和(110)面XRD衍射峰尖锐,无杂峰,且{100}面出现3级衍射峰.晶锭密度为5.74 g/cm3,与理论计算值接近.退火处理后的晶片在1000～7000 cm-1 红外波段范围内透过率达到70%.采用VUVG法生长的CdSe单晶体,结晶性能好、结构致密、尺寸大和红外透过率高,可用于制备红外非线性光学器件.
关键词:
CdSe单晶
,
气相生长
,
VUVG法
,
性能表征
许岗
,
李高宏
,
介万奇
材料导报
采用高纯HgI_2多晶原料,利用改进的静态升华法生长了α-HgI_2晶体.生长15天的晶体生长界面呈小平面,而生长29天的晶体生长界面呈椭圆形,表明α-HgI_2晶体气相生长中存在生长形貌转变的现象.形貌转变的原因可能是自由碘在生长界面富集和不同晶面生长速率差异所致.生长29天的晶体体积约为1.3cm~3,可能达到了该条件下的最大体积.
关键词:
碘化汞
,
气相生长
,
形貌转变
张江南
,
吕瑞涛
,
黄正宏
,
康飞宇
材料科学与工程学报
采用CVD法,以二甲苯为炭源,二茂铁、氯化铁等为催化剂在竹基多孔炭七生长一维纳米炭.采用扫描电镜、透射电镜及氮吸附仪等对一维纳米炭/竹基多孔炭的形貌、微结构与比表面积进行了表征.结果表明:采用CVD法可以在不同比表面积的竹基多孔炭上生长一维纳米炭(包括炭纳米管和炭纳米纤维),竹基多孔炭的比表面积越高,所获得的一维纳米炭/竹基多孔炭复合物的比表面积越大.
关键词:
竹炭
,
一维纳米炭
,
气相生长
丁书龙
,
郭建
,
颜晓红
,
宣凯
,
林铁军
材料导报
用化学气相沉积方法(CVD),以纯锌粉为原料,在镀金的硅片上制备出高密度的定向氧化锌(ZnO)纳米线,并用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌、结构及成分进行了表征;对镀金和不镀金的硅片上生长的ZnO纳米结构成分进行比较,证实其生长过程遵循气固生长机理.
关键词:
半导体材料
,
气相生长
,
化学气相沉积
金应荣
,
朱世富
,
赵北君
,
王学敏
,
宋芳
,
李奇峰
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.018
化学配比对CdSe单晶体的性能有较大的影响.本文根据相平衡原理,利用热力学分析方法,分析了CdSe单晶体的气相生长过程,阐明了控制化学配比的原理,指出只有在固-液-气三相平衡或接近三相平衡的条件下,才能生长出符合化学配比的CdSe单晶体;同时还指出利用符合化学配比的CdSe多晶原料,在1120～1130℃可以生长出符合化学配比的CdSe单晶体.
关键词:
CdSe单晶体
,
气相生长
,
相平衡
李峰
,
戴贵平
,
白朔
,
苏革
,
贺连龙
,
成会明
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.05.006
采用流动催化热解碳氢化合物方法制备出具有一定取向的单壁纳米碳管束研究了单壁纳米碳管束的生长过程,发观单壁纳米碳管的生长过程是在气流飘浮单个催化剂颗粒中完成,这与热解碳氢化合物制备定向的多壁纳米碳管在基体催化剂上生长过程有所不同根据单壁纳米碳管生长过程,推测出单壁纳米碳管束生长速度的数量级为10-5m/s.
关键词:
单壁纳米碳管束
,
气相生长
,
生长机理
