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稀土气相掺杂BaTiO3基PTC陶瓷的制备与电性能

郝素娥 , 黄金祥 , 孙亮

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.01.023

采用稀土气相掺杂的方法制备了La,Pr,Gd改性的BaTiO3 基PTC陶瓷,通过室温电阻率和温-阻效应的测试及SEM分析,对其PTC特性进行了研究.结果表明:BaTiO3基PTC陶瓷经稀土气相掺杂后,室温电阻率明显下降,在不同粉料配方基础上制备的4组BaTiO3基PTC陶瓷,经La,Pr,Gd气相掺杂后,其室温电阻率分别下降为2.5×105、70.0、220.0、40.0、3.5×104、50.0、9.6、5.0 Ω·m以及1.3×104、98.5、2.3×104、32.4 Ω·m.而稀土液相掺杂的BaTiO3 基PTC陶瓷的室温电阻率均在104Ω·m以上.稀土气相掺杂BaTiO3 基PTC陶瓷的温-阻效应与稀土液相掺杂结果截然不同,产生了明显的NTCR效应.

关键词: 稀土 , 气相掺杂 , NTCR效应 , 钛酸钡 , 电性能

区熔(FZ)硅单晶气相掺杂电阻率的理论计算

曲翔 , 陈海滨 , 方锋 , 汪丽都 , 周旗钢 , 闫志瑞

人工晶体学报

气相掺杂法因其简易灵活、生产周期短、成本较低的优点成为生产区熔硅单晶重要的辅助方法.本文根据区熔(FZ)硅单晶气相掺杂原理,结合单晶生长速度、单晶直径、气体流量、气体浓度、掺杂物的分凝、单晶对掺杂气体吸收率等一系列生长条件,进行理论计算并与实际生产相结合,进一步推算出掺杂量与电阻率关系的公式.通过该公式,可以更加准确控制气相掺杂硅单晶的电阻率,使理论计算与实际电阻率误差从20%降低到10%,从而降低生产成本.

关键词: 气相掺杂 , 区熔硅单晶 , 电阻率

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