许涛
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魏志锋
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李建业
,
贺蒙
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许燕萍
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曹永革
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张王月
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陈小龙
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.03.005
用简单化学反应的方法,采用非空间限制的条件,成功地在LaAlO3衬底上制备了GaN纳米线.分别用X射线粉末衍射、场发射扫描电镜和高分辩电镜等对其成分、形貌及其结构进行了表征.制备的GaN纳米线直径大部分为10～50nm,且多呈平直光滑状态;纳米线的成分为六方晶系氮化镓晶体.
关键词:
GaN纳米线
,
半导体材料
,
气相反应法
