张东梅
,
丁桂甫
,
汪红
,
姜政
,
姚锦元
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.03.010
研究了采用Sn/Bi合金作为中间层的键合封装技术.通过电镀的方法在基片上形成Cr/Ni/Cu/Sn、芯片上形成Cr/Ni/Cu/Bi多金属层,在513K、150Pa的真空环境中进行共晶键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染.实验表明:这种键合工艺具有较好的气密性,键合区合金层分布均匀,无缝隙、气泡等缺陷,键合强度较高,能够满足电子元器件和微机电系统(MEMS)可动部件低温气密性封装的要求.
关键词:
微机电系统
,
气密性封装
,
低温键合
