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石墨烯接枝聚吡咯复合物的原位合成及其电容特性研究

刘建华 , 张施露 , 于美 , 安军伟 , 李松梅

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12289

采用化学接枝法原位合成了石墨烯接枝聚吡咯复合物,对复合物的结构、形貌、导电率以及比电容值进行了测试和表征.结果表明制备的石墨烯接枝聚吡咯复合物中,石墨烯与吡咯单体间产生了紧密的化学键结合,吡咯在石墨烯层片上均匀分布,石墨烯片层间的吡咯大量成链并与石墨烯层片相互连接,测得复合物的电导率为3.32 S/cm,比电容值可以达到284 F/g,相比于纯聚吡咯的186 F/g的比电容值提高了52%,具有优异的电容特性.

关键词: 石墨烯 , 聚吡咯 , 原位合成 , 复合物 , 比电容值

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