贾少晋
,
张志成
,
范扬眉
,
张宪峰
,
韩荣典
高分子材料科学与工程
实验中对纯LLDPE,LDPE和HDPE经受了不同剂量辐照的LLDPE,LDPE和HDPE样品进行了正电子湮灭寿命谱的测定.当辐射剂量低于25 kGy 时,o-Ps的强度(I3)和寿命(τ3)也随辐射剂量的增大而变小,当辐射剂量高于25kGy时,o-Ps的强度(I3)和寿命(τ3)基本不变,对照LLDPE ,LDPE和HDPE的o-Ps的强度(I3)和寿命(τ3),可知道自由体积与材料的力学性能有一定的关联.
关键词:
γ辐照
,
正电子湮灭
,
自由体积
,
聚乙烯
贾少晋
,
张志成
,
范扬眉
,
张宪峰
,
韩容典
,
都志文
,
翁惠民
功能材料
对掺杂了25份(phr)导电炭黑(CB)的样品进行了正电子湮灭寿命谱的变温测量,在玻璃化转变温度以上,随着温度的增加,自由体积的大小线性增加,在玻璃化转变温度以下,自由体积的大小基本不变.o-Ps的强度在-40℃下基本不变,从-40℃以上开始增加,但在50℃以上上升有加快的趋势.与PTC材料的PTC现象和导电性能有一定的关联.
关键词:
正电子湮灭
,
炭黑
,
PTC
,
自由体积
郭忠诚
,
陈星明
,
方亮
,
王万录
,
廖克俊
材料导报
对正电子湮灭术(PAS)应用于金刚石薄膜中检测空位型缺陷的研究现状进行了综述,对由正电子寿命谱、多普勒宽化因子等数据得到空位型缺陷的浓度与大小等信息的方法进行了归纳与总结,并对正电子技术研究金刚石膜缺陷尚需注意的一些问题进行了初步分析讨论.
关键词:
金刚石薄膜
,
正电子湮灭
,
空位
,
缺陷
林元华
,
南策文
,
张中太
,
王雨田
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.01.033
利用传统陶瓷制备方法合成了长余辉SrAl2O4:Eu,Dy发光粉材料,并利用热释发光-正电子湮灭法对该材料的发光性能及机理进行了研究.研究结果表明,掺杂的Eu在基质材料中主要充当发光中心,而Dy离子主要充当陷阱能级.正电子湮灭试验结果表明,Sr0.94Al2O4:Eu0.02和Sr0 94Al2O4:Eu0.02,Dy0.04存在带负电中心的缺陷,共掺杂的Dy3+进到Sr2+位,同时产生一定量的Sr空位.热释发光谱结果表明,单掺杂Eu离子的磷光体中缺陷陷阱深度较深,约为0.95eV.随着Dy的共掺杂,热释发光强度相应增加,陷阱深度降为0.51eV.对于长余辉发光机制,认为陷阱能级捕获的空穴与介稳态(Eu1+)*的复合,导致了长余辉现象的发生.并且由于陷阱深度的变化,导致余辉性能出现较大的差异.
关键词:
热释发光
,
正电子湮灭
,
长余辉
,
陷阱能级
