唐春娟
,
杨慧琴
,
张永胜
,
苏剑峰
材料研究学报
通过调控水和乙二胺溶液的组份控制产物的形貌和结构,制备了铋纳米线和铋纳米片,研究了组份变化对产物形貌结构的影响,并依此提出了乙二胺模板效应以及由乙二胺引起的从动力学向热力学转换控制晶体生长的生长机制.铋纳米线的体膨胀系数随着温度的升高减小,并在一转变温度(455℃左右,低于块体的转变温度)变为负值.
关键词:
半金属材料
,
铋纳米线
,
铋纳米片
,
模板效应
,
体膨胀系数
吕生华
,
孙婷
,
刘晶晶
,
马宇娟
,
邱超超
复合材料学报
通过氧化和超声波分散制备了氧化石墨烯(GO)纳米片层分散体系,研究了GO纳米片层对水泥基复合材料的增韧效果及作用机制.用EDS、FTIR、XRD、SEM和AFM对GO纳米片层的结构进行了表征.研究结果表明:所得GO含氧量为32.3wt％,GO纳米片层的厚度为6 nm左右,在GO片层表面含有羟基、羧基和磺酸基等活性基团.水泥基复合材料的SEM形貌及力学性能测定结果表明:当GO掺量为0.03wt％时,GO能够使水泥水化产物形成花朵状晶体,并使水泥基复合材料的拉伸强度、抗折强度和压缩强度比对照样品分别提高了65.5％、60.7％和38.9％.提出了GO纳米片层对水泥水化产物的模板调控机制,揭示了花状晶体的形成过程.
关键词:
氧化石墨烯
,
水泥
,
水化晶体
,
模板效应
,
增韧效果
刘明霞
,
胡永锋
,
马飞
,
徐可为
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.05.023
以模板效应为手段,在单晶Si-(100)基片上借助预先沉积的Mo膜成功制备出共格生长的Pα-W薄膜.用X射线衍射、场发射扫描电镜和高分辨透射电镜分析薄膜微结构,用偏振相位移技术分析残余应力,用四点探针技术分析电阻率.结果表明:MO模板诱导下共格生长出的α-W膜为等轴晶,Si基底上则为亚稳态β-W的非等轴晶.两组样品的电阻率和残余应力均随膜厚降低而升高,但β-W膜归因于晶粒尺寸减小,即晶界的大量增加;而α-W/Mo双层膜归因于两者之间共格界面的约束作用,当膜厚减至数十纳米后尤其如此.
关键词:
钨膜
,
模板效应
,
膜厚效应
,
残余应力
,
电阻率
孔明
,
岳建岭
,
李戈扬
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00113
陶瓷纳米多层膜因具超硬效应而成为近年的研究热点.本文对这类人工材料的研究进展和存在的不足进行了评述,并展望了进一步研究的方向.二十年来,陶瓷纳米多层膜的实验研究已取得明显进展:在微结构特征方面,两调制层形成共格外延生长结构是纳米多层膜产生超硬效应的必要微结构条件已成为共识;材料组合方面,由于模板效应,不同结构类型的材料,甚至非晶材料都可在纳米多层膜中形成共格外延生长结构,高硬度纳米多层膜材料体系已得到大大的拓展.与此相比较,对纳米多层膜强化机制和设计准则的研究相对滞后,仍停留在以金属纳米多层膜基于位错运动受阻于界面的理论解释上.因而,建立适合于陶瓷纳米多层膜的强化机制和设计准则;拓展纳米多层膜的材料组合,开发以碳化物、硼化物甚至氧化物为基的纳米多层膜将成为进一步研究的方向.
关键词:
纳米多层膜
,
超硬效应
,
共格生长
,
模板效应
,
强化机制
马友美
,
杨小平
,
贾晓龙
,
国丽娟
应用化学
doi:10.3724/SP.J.1095.2012.00382
以硝酸铅和硫代乙酰胺为前体,十二烷基苯磺酸钠(SDBS)扮演了前体和表面活性剂的双重角色,制备出硫化铅纳米带.采用透射电子显微镜、X射线衍射和光致发光对所制备的纳米带进行了表征.结果表明,中间产物PbSO4在水热条件下对PbS纳米带的进一步形成主要起到模板作用.进一步考察了纳米带形成机理,结果表明,中间产物PbSO4对表面活性剂是有制约性的,而当改变中间产物保持条件不变的情况下,模板效应失控,只能得到不规则的微晶体.实验结果表明,制备硫化铅纳米带反应速度较为缓慢,易于控制,为制备不同形貌纳米带提供了一种有效方法.
关键词:
微晶体
,
模板效应
,
形貌控制
,
硫化铅纳米带
刘明霞
,
胡永峰
,
马飞
,
徐可为
金属学报
以模板效应为手段,
在单晶Si--(100)基片上借助预先沉积的Mo膜成功制备出共格
生长的α--W薄膜.
用X射线衍射、场发射扫描电镜和高分辨透射电镜分析薄膜微结构, 用偏
振相位移技术分析残余应力, 用四点探针技术分析电阻率. 结果表明:
Mo模板诱导下共格生 长出的α--W膜为等轴晶,
Si基底上则为亚稳态β--W的非等轴晶. 两组样品的电
阻率和残余应力均随膜厚降低而升高, 但β--W膜归因于晶粒尺寸减小,
即晶界的大量增加; 而β--W/Mo双层膜归因于两者之间共格界面的约束作用,
当膜厚减至数十纳米后尤其如此.
关键词:
钨膜
,
template effect
,
size effect
,
residual stress
,
electric resistance
