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多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型

邓婉玲

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20112602.0178

多晶硅薄膜晶体管具有独特的栅电容特性,即泄漏区中栅源电容的反常增大和饱和区中栅漏电容由于kink效应的增大.基于Meyer模型,考虑了泄漏产生效应和kink效应,对多晶硅薄膜晶体管的栅漏电容和栅源电容特性进行了建模研究.对实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据符合得较好,能准确地预测多晶硅薄膜晶体管的栅电容特性.

关键词: 多晶硅薄膜晶体管 , 栅漏电容 , 栅源电容 , 模型