张丽伟
,
周伶俐
,
李瑞
,
李红菊
,
卢景霄
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.02.034
利用射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD)在已经预沉积有非晶硅薄膜的石英衬底上低温沉积了N/I非晶硅薄膜,对样品进行了两步快速光热(RTP)退火.采用Raman、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等测试仪器对样品退火前后的结晶状况和微观形貌进行了分析.结果表明,该N/I非晶硅薄膜退火后的晶化率达到了94%左右,断面形貌为柱状结构,样品中的平均晶粒尺寸约30nm,晶粒团簇的尺寸最大约1.5um.
关键词:
快速光热退火
,
柱状结晶
,
多晶硅薄膜
,
多晶硅薄膜太阳电池
