谢涌
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介万奇
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王涛
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崔岩
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高俊宁
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于晖
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王亚彬
功能材料
采用CVD法在a-面蓝宝石衬底上制备了ZnO籽晶层,然后在籽晶层上用碳热还原法制备了高质量的ZnO纳米线阵列.发现生长后的ZnO纳米线阵列具有良好的近带边发光性能,束缚激子发光峰半峰宽＜500 μeV.通过变温PL测试,确定3.37737eV的发光峰为自由激子发光,分别通过Vina模型和Vashni模型对其进行拟合,发现在60K以下Vashni 模型的拟合相当好,而在60～150K,Vina模型的拟合效果更优.3.29eV处的峰为DAP峰,计算可得样品中的施主浓度为1.8×1018cm-3.
关键词:
ZnO
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纳米线
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光致发光
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自由激子
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束缚激子
,
X射线衍射
杨阳
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孙甲明
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张俊杰
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张新霞
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刘海旭
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材料科学与工程学报
本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响.随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管的电致发光效率显著增强,在B原子浓度接近2倍于退火温度下的固溶度时,室温下的电致发光效率达到最大值0.12%,比传统的硅pn结发光二极管增强了2-3个数量级.在低温电致发光光谱中,发现了两个来自局部掺杂缺陷的束缚激子发光峰.随着温度的升高,束缚激子的发光峰出现温度猝灭,束缚激子离化为自由电子和空穴,增加了硅带间自由激子复合的发光效率,从而使电致发光呈现随温度增加而增强的反常温度效应.
关键词:
束缚激子
,
离子注入
,
硼
,
退火
,
调制掺杂
