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曾莹莹 , 艾永平
兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2010.04.022
研究双离子束溅射组装铜钨复合膜Ar+能量及束流对膜影响.用XRD分析溅射沉积后的薄膜结构.实验结果表明,随靶Ar+能量和束流增加,铜钨膜向晶态化转变.铜钨复合膜的沉积速率主要由钨靶Ar+束流决定,并且增加气压会使复合膜晶粒尺寸变小,固溶进钨的铜原子也会相应减少.
关键词: 铜钨薄膜 , 离子束溅射 , Ar+能量 , 束流 , 晶粒度
宋超 , 杨瑞东 , 冯林永 , 杨宇
材料导报
采用离子束溅射技术,在低生长束流(4～10 mA)范围内,对低温(25～300 ℃)Si薄膜的晶化进行了研究.由Raman和XRD表征分析得出:在300℃采用6mA的生长束流,可在硅衬底上得到结晶性和完整性较好的Si外延薄膜;25℃时,在硅衬底上得到Si薄膜的多晶结构,实现了Si薄膜的低温晶化生长.
关键词: Si薄膜 , 离子束溅射 , 束流 , 低温
