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影响铝合金MIG焊丝质量的因素分析

明珠 , 王有祁 , 甄立玲 , 齐果 , 刘宏伟 , 陈东高 , 谭兵 , 陈巍

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2010.05.024

采用机械抛光方法研制ER5356铝合金焊丝,从原材料化学成分、焊丝直径和圆度、焊丝强度和塑性、表面质量、翘距、松弛直径等方面研究了其对铝合金MIG焊丝质量的影响.结果表明,原材料的化学成分及内在品质是影响铝合金焊丝质量的关键因素.

关键词: 铝合金 , 焊丝 , 机械抛光 , 焊丝质量

CdZnTe单晶的机械抛光及其表面损伤层的测定

查钢强 , 介万奇 , 李强 , 刘永勤

功能材料

研究了CdZnTe单晶片的机械抛光工艺.采用SiO2和MgO进行分步机械抛光后的晶片光亮平整,在光学显微镜下观察没有划伤,采用New View5000TM测得抛光后晶片的表面粗糙度Ra为8.752nm.采用X射线摇摆曲线的半峰宽表征了表面损伤程度.通过分析不同时间腐蚀后晶片的质量和半峰宽值,计算出机械抛光产生的表面损伤层厚度约为26.7μm.

关键词: CdZnTe , 机械抛光 , X射线摇摆曲线 , 表面损伤层

金刚石微粉对SiC机械抛光的影响研究

梁庆瑞 , 宗艳民 , 王希杰 , 陈秀芳 , 徐现刚 , 胡小波

人工晶体学报

研究了金刚石微粉对碳化硅晶片表面机械抛光质量及去除率的影响.选取粒径均为W0.5~1μm、粒径分布和形貌不同的3种金刚石微粉,配置3种SiC单晶片机械抛光液.通过纳米粒度仪和扫描电镜分别测试了金刚石微粉的粒度分布和微观形貌.使用原子力显微镜测试了SiC晶片机械抛光后表面粗糙度.金刚石微粉的微观形貌越圆滑,粒径分布越集中,抛光后晶片的表面质量越好.金刚石微粉中单个颗粒的表面棱角有利于提高材料去除率.

关键词: 碳化硅 , 金刚石微粉 , 机械抛光 , 表面粗糙度

碲锌镉晶片机械研磨和机械抛光工艺研究

彭兰 , 王林军 , 闵嘉华 , 张继军 , 陈军 , 梁小燕 , 严晓林 , 夏义本

功能材料

研究了碲锌镉(CZT)晶片表面的机械研磨和机械抛光工艺.采用不同粒度的Al2O3磨料对CZT晶体表面进行机械研磨和机械抛光,并研究了工艺参数变化对CZT晶体表面质量、粗糙度、研磨速度和抛光速度的影响.结果表明,机械研磨采用粒度2.5μm的Al2O3磨料,最佳的研磨压力和研磨盘转速分别为120g/cm.和75r/min,研磨速度为1μm/min;机械抛光采用粒度0.5μm的Al2O3抛光液,最佳的抛光液浓度为6.5%(质量分数),抛光速度为0.28μm/min.AFM测试得到机械研磨后晶片表面粗糙度Ra值为13.83nm,机械抛光4h后,Ra降低到4.22nm.

关键词: 碲锌镉 , 机械研磨 , 机械抛光 , 研抛速度 , 粗糙度

CVD金刚石厚膜的机械抛光及其残余应力的分析

徐锋 , 左敦稳 , 王珉 , 黎向锋 , 卢文壮 , 彭文武

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.038

较粗糙的表面是影响金刚石厚膜广泛使用的因素之一.本文对CVD金刚石厚膜进行了机械抛光的正交实验研究.实验结果表明,影响抛光效率的因素依次为抛光盘的磨粒、转速、正压力和抛光面积.采用较大粒度的磨盘,适当增加转速和压力有利于提高抛光的效率.此外用XRD方法对机械抛光前后的膜的残余应力进行了测定和对比分析,结果表明,经过机械抛光,残余拉应力明显减小.

关键词: 金刚石厚膜 , 机械抛光 , 正交试验 , 残余应力 , XRD

铝合金型材用水基除蜡清洗剂的研制

颜钟得 , 谢光荣

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2007.01.010

为了清除经机械布轮抛光后铝合金型材上的残余蜡,在分析各种金属清洗剂基础上,研制出了一种弱碱性水基除蜡清洗剂,该清洗剂能够很好地清除经机械布轮抛光后铝合金型材上的残余蜡浓缩液(20~25倍),其具体配方为:45~50 g/L K4P2O7,25~30 g/L Na2B4O7,25~30 g/L C12H25-( )-SO3Na,15~20 g/L C12H25 SO3Na,20~25 g/L AEO-9,5 g/L C7H5O2Na,8~10 mg/L C6H5N3.通过在不同温度、不同时间下的清洗去蜡效率对比检测,得到最佳的清洗温度为50~60 ℃,最佳的清洗时间为10~12 min.结果证明该除蜡清洗剂具有去除蜡脂能力强、对铝合金腐蚀率近乎零、对环境友好的特点.

关键词: 金属清洗剂 , 铝合金 , 机械抛光 , 抛光蜡 , 除蜡剂

抛光铜箔衬底上石墨烯可控生长的研究

孙雷 , 沈鸿烈 , 吴天如 , 刘斌 , 蒋烨

人工晶体学报

本文报导以固态聚苯乙烯为碳源,经机械抛光和电化学抛光双重处理的铜箔为衬底,用CVID法进行石墨烯可控生长的研究结果.用光学显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、光透射谱、扫描隧道显微镜和场发射扫描电镜对生长的石墨烯进行了表征.研究发现经过抛光处理的铜箔由于其平整的表面和很低的表面粗糙度,在其上生长的石墨烯缺陷少,结晶质量高.而未经抛光处理的铜箔在石墨烯生长过程中,铜箔不平整的表面台阶会破坏其上生长的石墨烯的微观结构,在生长的石墨烯二维结构中产生高密度晶界和缺陷.还在双重抛光处理的铜箔上实现了石墨烯的层数可控生长,结果表明固态碳源聚苯乙烯的量为15 mg时可生长出单层石墨烯,通过控制固态源重量得到了1~5层大面积石墨烯.

关键词: 固态碳源 , 机械抛光 , 电化学抛光 , 石墨烯 , 可控生长

Ti2AlNb合金金相试样的制备方法

程军 , 毛勇

钛工业进展

介绍了Ti2AlNb合金金相试样的制备方法,并描述了试样制备过程中研磨、抛光、浸蚀的技巧和辅材的选择方法.实验结果表明:在抛光过程中采用短绒毛的平绒织物和超细纤维眼镜布,并配合使用合适粒度的加有洗洁精的Cr2O3抛光液进行粗抛和精抛,可快速制备高质量的金相试样;采用合适浓度的化学腐蚀液氢氟酸+硝酸或氢氟酸+过氧化氢溶液进行浸蚀后,可获得晶界轮廓清晰的加工态组织(β单相组织)或清晰的热处理组织(晶内的网篮组织和魏氏组织).

关键词: Ti2AlNb合金 , 金相试样 , 机械抛光 , 化学浸蚀

气门抛光的新工艺

罗建东 , 刘正义 , 邓炜明 , 曾德长

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2010.08.005

目前国内去除气门热处理后氧化膜的方法是喷丸,该方法缺点是表面粗糙、容易产生微裂纹.采用化学抛光与机械抛光同步进行的新工艺,可以有效地去除气门热处理后的氧化膜,不会产生微裂纹,还可对气门表面进行抛光.同时研究了抛光液配方及使用温度对抛光效果的影响、设计了与抛光液配合使用的同步抛光装置.该气门抛光新工艺已成功应用于生产中.

关键词: 气门 , 氧化膜 , 化学抛光 , 机械抛光

金及其合金抛光技术的研究进展

梁成浩 , 刘霞 , 黄乃宝 , 杨长江 , 贾广鹏

电镀与涂饰

综述了金及其合金的机械抛光、化学抛光和电化学抛光技术.介绍了金及其合金的氰化物型电解液,以及硫脲型、混合酸型和氯化物型电解液等无氰的电化学抛光工艺.指出了金及其合金抛光技术发展中存在的问题以及今后的发展趋势.

关键词: 金及其合金 , 机械抛光 , 化学抛光 , 电化学抛光

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