钟雨航
,
朱世富
,
赵北君
,
任锐
,
何知宇
,
叶林森
,
温才
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.008
采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液,对4组CdSe晶片进行抛光.研究结果表明,采用化学机械抛光能较大地提高晶片的抛光质量.通过用不同pH值的抛光液对CdSe晶片进行抛光,发现用NaOH将抛光液pH值调整为8的一组CdSe晶片,获得了最好的抛光效果,电阻率较高,达到3.2×108Ω·cm以上,适合CdSe探测器制备.
关键词:
硒化镉
,
机械化学抛光
,
抛光液
,
金相显微镜
,
电阻率
吴碧艳
,
罗文嬗
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.015
机械化学抛光(CMP)工艺普遍应用于纳/微机械制造中,特别是复杂的层状结构MEMS.鉴于镍及镍基合金具有高的沉积速率、可控的薄层应力、低的电阻和制备温度以及机械特性,本文研究了镍及镍基合金用于具有运动结构的纳/微EMS器件的可行性,重点研究了基于镍的CMP工艺,其电化学势的变化用电动势极化曲线进行了分析,镍膜层表面用XPS和SEM进行了分析,结果表明:镍的刻蚀速率随着双氧水和缓蚀剂EDTA浓度中加而增加,在双氧水浓度在1%左右时达到最大.其刻蚀过程的动态和静态的电动势极化曲线具有明显不同,XPS分析表明:无双氧水的刻蚀液薄膜表面主要是形成NiO,存在H2O2的刻蚀液薄膜表面主要是形成Ni(OH)2,表面的镍所处的电化学状态是影响刻蚀行为的主要原因.
关键词:
机械化学抛光
,
纳/微机械
,
镍
,
电动势
