陈俊
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王希恩
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严非男
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梁丽萍
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耿滔
人工晶体学报
本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能.结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(Vo2+和Vcd2-)存在.晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低的生成能,是CdMoO4晶体的主要缺陷类型.Cd的夫伦克儿缺陷在高温条件下将起重要作用,由氧空位引起的F心和F+心与700 nm吸收带的形成有关.
关键词:
模拟计算
,
CdMoO4晶体
,
GULP
,
本征点缺陷
章炜巍
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朱大中
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沈相国
材料导报
ZnO薄膜中的本征点缺陷对材料的电学、发光性能有着至关重要的影响.目前,对本征点缺陷的研究是ZnO领域的一大热点,也是实现ZnO基光电器件的关键技术之一.本文结合最新研究,扼要综述了本征点缺陷的电荷特性、对本征ZnO为n型的作用机理、对p型ZnO制备的影响及点缺陷对薄膜绿光发光的贡献.
关键词:
ZnO薄膜
,
本征点缺陷
,
本征n型
,
p型ZnO
,
绿光
蔺家骏
,
李盛涛
,
何锦强
,
刘文凤
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160080
研究了微量铝(Al)掺杂对氧化锌(ZnO)压敏陶瓷显微结构、电性能和本征点缺陷浓度等方面的影响及其作用机理.研究结果表明,介电损耗峰值能够在一定程度上反映ZnO压敏陶瓷本征点缺陷浓度,微量Al掺杂能够引起ZnO压敏陶瓷本征点缺陷浓度的显著降低.氧空位缺陷对应的损耗峰峰值从88.82下降到1.74,锌填隙缺陷对应的损耗峰峰值从133.38下降到8.14.随着Al掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷平均晶粒尺寸从9.15 μm逐渐下降到6.24 μm,而压敏电压从235 V/mm逐渐提高到292 V/mm.可见Al掺杂抑制了ZnO压敏陶瓷中本征点缺陷的形成,而本征缺陷浓度的降低导致材料显微结构和电性能发生明显变化.本文阐述了Al掺杂对ZnO压敏陶瓷本征缺陷的影响机理,建立了ZnO压敏陶瓷显微形貌、电性能、介电性能和本征点缺陷之间的联系.
关键词:
ZnO压敏陶瓷
,
Al掺杂
,
本征点缺陷
