杨澍
,
荆海
,
廖燕平
,
马仙梅
,
孔祥建
,
黄霞
,
付国柱
,
马凯
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.02.012
基于电子墨水技术的电子纸是目前最有竞争力的类纸媒显示器.实现电子墨水电子纸的柔性是这项显示技术的关键之一.文章分析了当前电子墨水电子纸的主要研究方向,详细介绍了基于金属柔性基板的TFT制造技术、基于固定塑料基板的以激光释放塑基电子工艺(EPLaR)为代表的TFT制造技术、以激光退火表面释放技术(SUFTLA)为代表的TFT转移技术以及有机薄膜晶体管(OTFT)技术等4项柔性TFT背板的主要实现方法.对比了它们的材料选取,工艺特点和器件性能,分析了各项柔性TFT背板工艺的优缺点,提出了改进方向.
关键词:
电子纸
,
电子墨水
,
薄膜晶体管
,
柔性金属基板
,
激光释放塑基电子技术
,
激光退火表面释放技术
,
有机薄膜晶体管
胡建波
,
朱谱新
材料导报
喷墨打印技术应用于聚合物成膜或成型,已成为功能聚合物沉积和精密器件加工领域的核心技术之一.介绍了喷墨打印技术在聚合物电致发光器件、有机薄膜晶体管、太阳能电池和传感器等领域的研究和应用进展,包括聚合物墨水的制备、薄膜均匀性、聚合物溶液与打印性能的关系、新型功能材料的研究和开发等问题,并指出了存在的问题和面临的挑战.
关键词:
喷墨打印
,
聚合物电致发光器件
,
有机薄膜晶体管
,
太阳能电池
,
传感器
严剑飞
,
吴志明
,
太惠玲
,
李娴
,
付嵩琦
功能材料
采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和湿法刻蚀的方法,分别刻蚀有机薄膜晶体管(OTFT)的钛/金薄膜电极.改变刻蚀的工艺条件,研究了不同的刻蚀工艺对OTFT器件性能的影响,并对刻蚀结果进行了比较与分析.结果表明,ICP干法刻蚀不适合用来刻蚀OTFT器件的钛/金电极,而湿法刻蚀工艺可用于刻蚀关键尺寸为5μm及其以上的钛/金电极,其最佳工艺条件分别是n(HF):n(HNO3):n(H2O)=1:1:5和n(KI):n(I2):n(H2O)=4:1:40.
关键词:
刻蚀
,
有机薄膜晶体管
,
钛/金
,
最佳工艺条件
李娴
,
蒋亚东
,
谢光忠
,
太惠玲
材料导报
以α-六噻吩(α-sexithiophene,α-6T)为有源层,二氧化硅(SiO2)为绝缘层,钛/金(Ti/Au)为电极,分别制备了沟道宽长比为40、160和640的有机薄膜晶体管(Organic thin-film transistors,OTFT)器件.讨论了OTFT器件的宽长比对二氧化氮气敏性能的影响.结果表明,基于α-6T的OTFT器件对二氧化氮气体具有较高的实时响应；OTFT器件对二氧化氮气体的气敏性能与沟道宽长比有依赖关系,随着沟道宽长比的增大,器件的响应灵敏度提高、响应时间延长,宽长比为160的器件气敏性能最佳.
关键词:
沟道宽长比
,
有机薄膜晶体管
,
二氧化氮
,
灵敏度
袁剑峰
,
闫东航
,
许武
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.03.003
研究了有机薄膜晶体管(Oganic thin film transistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性.结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度(ΔS)不变;阈值电压漂移的量与偏置时间的对数呈线性关系.还发现阈值电压漂移量与栅绝缘膜绝缘性能有关,绝缘性能好的绝缘膜(如SiO2)器件阈值电压漂移量小,绝缘性能差的绝缘膜(如TaOx)器件阈值电压漂移量大.认为有机晶体管阈值电压漂移是由沟道载流子以直接隧穿方式进入栅绝缘膜内的陷阱造成的.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
阈值电压漂移
,
栅绝缘膜陷阱
,
C-V特性
洪飞
,
谭莉
,
朱棋锋
,
向长江
,
韩学斌
,
张其国
,
郭晓东
,
申剑锋
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122703.0313
采用六联苯(p-6P)和氧钒酞菁(VOPc)作为有源层材料,利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管(OTFT).在相同的工艺条件下制备了顶栅结构(top-gate)和底栅结构(bottom-gate)两种器件构型,发现两种不同结构的OTFT器件特性存在较大的差异,top-gate OTFT的迁移率比bottom-gate OTFT高很多.在顶栅结构的器件构型中获得了较高的器件特性参数,迁移率达到1.6 cm2/V·s.研究了弱外延生长技术应用在两种不同器件构型中的差异,并解释了顶栅结构OTFT迁移率较高的原因.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
顶栅结构
,
弱外延
,
氧钒酞菁
何慧
,
王刚
,
赵谡玲
,
刘则
,
侯文军
,
代青
,
徐征
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122705.0590
通过压电喷墨打印方式在氧化铟锡(ITO)玻璃上直接图案化打印聚(4-乙烯基苯酚)(PVP),研究了不同浓度PVP的电学特性,从电容、漏电流、击穿场强几个方面进行了分析.结果表明,采用打印方式得到的PVP绝缘层在0～40V的外加电压下,漏电流密度在10-11～10-8A/cm2范围内,为打印方式制备高性能交联PVP(CL-PVP)介电层提供了必要的参考.
关键词:
聚(4-乙烯基苯酚)
,
喷墨打印
,
有机薄膜晶体管
,
绝缘层
陈世琴
,
陈梦婕
,
邱龙臻
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122705.0595
利用化学气相沉积法生长的高性能的层状石墨烯,通过转移和图案化后用作电极,制备了底接触的并五苯有机薄膜晶体管(OTFTs).原子力显微镜观察发现,石墨烯电极的厚度比一般的金电极薄的多,所以石墨烯电极厚度对并五苯晶粒的生长影响不大.电学性能研究得到器件的输出和转移曲线、开关电流比、阈值电压、场效应迁移率.转移曲线的关态电流约为10-9 A,电流的开关比超过103.基于底接触的并五苯OTFTs的最大场效应迁移率约2×10-2 cm2·V-1·s-1.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
层状石墨烯
,
图案化
,
电性能
刘欢
,
余屯
,
邱禹
,
钟传杰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132802.0210
采用转移线性法分析了以PVP为栅绝缘层、以Tips-pentacene为有源层的有机薄膜晶体管(OTFT)电极与有源层间的接触电阻,其中介电层和有源层均采用旋涂法制备,银电极采用喷墨印刷法制备.沟道长度分别取200,250,300 μm和400 μm,有源层退火时间分别为2h,6h和10h,提取到的3种不同退火时间的OTFT的接触电阻分别为8 MΩ,4.5 MΩ和3 MΩ,退火10 h的OTFT的接触电阻较小主要是因为较长时间的退火使得Tips-pentacene有源层中的杂质较少,电极和有源层之间的接触势垒较小.
关键词:
转移线性法
,
有机薄膜晶体管
,
接触电阻
,
喷墨打印
