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以聚酰亚胺为绝缘层的并五苯场效应晶体管

报道了以聚酰亚胺(polyimide)作为绝缘层,并五苯作为活动层的一种全有机场效应晶体管.利用原子力显微镜(AFM)分析了聚酰亚胺薄膜及其表面并五苯薄膜的形貌;采用顶电极接触结构,测量出其场效应晶体管的输出特性曲线,并得出其场效应迁移率为0.079m2/(V·s),开关电流比约为104.

关键词: 聚酰亚胺 , 并五苯 , AFM , 有机场效应晶体管 , 迁移率

石墨烯在有机光电器件中的应用研究进展

李兴鳌 , 任明伟 , 任睿毅 , 苏丹 , 杨建平

材料导报

归纳了石墨烯的基本性质及常用的几种基本制备方法,综述了石墨烯在有机场效应晶体管( OFET)、有机发光二级管(OLED)、有机太阳能电池(OSC)等有机光电器件领域的应用研究现状,展望了石墨烯在有机光电器件领域未来的发展前景.

关键词: 石墨烯 , 有机场效应晶体管 , 有机发光二级管 , 有机太阳能电池

苝酰亚胺衍生物的合成及其应用进展

徐业伟 , 朱方华 , 张林

材料导报

总结了苝酰亚胺衍生物的合成,评述了其在有机场效应晶体菅、太阳能电池、电致发光二极管和生物等领域中的应用与发展同时,讨论了苝酰亚胺衍生物今后的发展方向.

关键词: 苝酰亚胺衍生物 , 有机场效应晶体管 , 太阳能电池 , 电致发光二极管 , 生物应用

以聚苯乙烯为绝缘层的C60场效应晶体管

周建林 , 张福甲 , 彭俊彪

功能材料

研究制备了以聚苯乙烯(polystyrene)作为绝缘层,富勒烯C60为半导体有源层的一种全有机n型场效应晶体管.利用原子力显微镜(AFM)分析了聚苯乙烯薄膜及其表面C60薄膜的形貌.电学特性测试结果表明器件性能优良,场效应电子迁移率达到1.05cm2/V·s,开关比为9.4×105.

关键词: 聚苯乙烯 , C60 , n型 , 有机场效应晶体管

低电压并五苯晶体管的制北

王东盛 , 吴萃婷 , 刘爱民

功能材料

介绍了利用物理气相沉积的技术制备有机物并五苯场效应晶体管(OTFT)的方法.通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)对并五苯薄膜的分析,发现并五苯薄膜具有良好的表面形貌和晶体特性.其载流子迁移率达0.3cm2/Vs,并五苯晶体管具有低电压特性.

关键词: 有机场效应晶体管 , 并五苯 , 物理气相沉积

有机电介质对场效应晶体管性能的影响

张蕊蕊 , 张小娇 , 林仕伟 , 李建保

材料导报

电介质层是有机场效应晶体管(OFETs)的重要组成部分,其材料选择影响着器件的性能.简要介绍了有机场效应晶体管,总结了电介质层对器件性能的影响(包括介电常数、电介质表面粗糙度、电介质表面能及处理工艺),并探讨了近年来常用作电介质的材料.

关键词: 有机场效应晶体管 , 电介质 , 常用电介质材料

ITO作为源漏电极的有机场效应晶体管

陈金伙 , 欧谷平 , 张福甲

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.02.013

报道了一种OFET,它采用ITO作为源漏电极,聚酰亚胺为绝缘层,CuPc为半导体层.实验结果表明,该器件具有明显的场效应性质,性能较好,载流子迁移率和开关比分别达2.3×10-3 cm2/V.s、800,表明ITO是一种合适的、有前途的p型OFET源漏极材料.为此,本文对由电极材料和半导体材料间形成的接触电阻对OFET性能影响进行了分析.

关键词: 有机场效应晶体管 , ITO , 聚酰亚胺