刘学杰
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刘金会
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任元
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李良方
材料保护
为了进一步了解多孔阳极氧化铝膜孔洞的形成、发展过程与电场分布的关系,建立了4种模型对多孔阳极氧化铝膜中孔洞形成初始阶段和发展阶段的电场分布情况进行了有限元分析.结果表明:在孔洞初始阶段,孔洞间距较小的孔洞底部电场强度小,而间距较大的孔洞底部电场强度较大,浅孔底部电场强度较小,深孔底部电场强度较大;在孔洞发展阶段,间距不等的孔底部电场分布不均,面向壁厚侧底部电场强度较大,面向壁薄侧底部电场强度较小.这些电场分布情况可为进一步分析孔洞发展以及导致孔洞有序分布因素奠定基础.
关键词:
多孔阳极氧化铝膜
,
电场分布
,
孔洞
,
有序生长
,
有限元分析
殷景志
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王新强
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李献杰
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杜国同
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张树人
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.005
采用LP-MOVPE技术,在(001)InP衬底上生长的InAs /InP自组装量子点是无序的.为了解决这个问题,在InP衬底上先生长张应变的GaAs层,然后再生长InAs层,可得到有序化排列的量子点.本文对张应变GaAs层引入使量子点有序化排列的机理进行了分析.为生长有序化、高密度、均匀性好自组装量子点提供了依据.
关键词:
自组装量子点
,
有序生长
,
张应变GaAs层
