郭育林
,
倪敏璐
,
周嘉
,
竺士炀
,
黄宜平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.012
为了更深入的了解GaAs经氢离子注入后的剥离特性,实验研究了GaAs晶片经6×1016 /cm2剂量氢离子以不同能量注入,再经过不同温度和不同时间的退火过程后,晶片表面的剥离情况.研究表明:注入能量小的晶片较容易表面剥离,当注入能量大到一定程度,表面将不会出现剥离的现象;在相同的注入能量情况下,GaAs晶片的表面剥离随着退火温度的升高、退火时间的增加变得更加的显著.晶片在300 ℃下退火后,未发现有剥离现象,实验发现GaAs的临界剥离温度在300-400 ℃之间.研究结果有助于优化GaAs/Si异质结构材料的智能剥离制备工艺.
关键词:
GaAs
,
智能剥离
,
异质结构材料
,
氢离子注入
宋华清
,
石兢
,
林成鲁
功能材料
SOG材料与传统SOI材料一样,拥有许多优良的电学性能,例如SOG电路具有高开关速度、高密度、低压和低功耗等优点.同时由于SOG材料具有突出的光电性能,在太阳能电池和液晶显示器等光电设备中也有着广泛的应用,引起了人们越来越广泛的关注.本文综述了SOG材料的特点和应用,着重介绍了SOG材料的各种制备方法和新进展.
关键词:
SOG
,
SOI
,
外延层转移
,
智能剥离
刘旭焱
,
宋三年
,
刘卫丽
,
宋志棠
功能材料与器件学报
结合新一代高集成度三维集成电路和新型相变存储技术,以三维相变存储单元阵列的实现为目标,进行了用于存储单元的驱动和开关作用的二极管阵列的制备实验.在借助低温等离子体活化键合技术获得了良好的键合界面之后,利用智能剥离法成功转移了单晶PN结二极管层到含有金属W电极阵列的基片上,并制备了垂直二极管阵列.经过聚焦离子束加工和电镜观察得知基片上小型W电极与转移来的PN结构Si层接触良好,测试得到了标准的二极管特性曲线,开关比达到4个数量级.不过实验制备的二极管漏电流较大,开关比偏低,这些问题还需要在将来实验环境的改进和工艺的优化中得到解决.
关键词:
三维集成电路
,
相变存储器
,
等离子活化键合
,
智能剥离
王卓
,
刘昌龙
硅酸盐通报
H和He离子联合注入单晶Si可以促使其表面产生发泡、剥落和层离等表面损伤,由此引发了一种有效地制备SOI材料的新方法,即智能剥离技术.文章简述了H和He离子注入单晶Si在随后的热处理过程中引起表面损伤的机理,探讨了注入条件变化对表面损伤的影响,提出了该领域存在的关键问题并介绍了智能剥离技术在现代半导体技术中潜在的应用前景.
关键词:
H和He离子联合注入
,
表面损伤
,
智能剥离
,
单晶Si
肖清华
,
屠海令
,
周旗钢
,
王敬
,
常青
,
张果虎
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2002.06.013
SOI材料被誉为"二十一世纪硅集成电路技术"的基础. 它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等, 在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景. 介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SOI材料的方法及近期相关的研究成果. 降低制造成本、提高材料质量以及获得足够薄的顶部硅层是近年来SOI材料制备技术改进的目标.
关键词:
SOI
,
注氧隔离
,
智能剥离
,
硅片键合与减薄
,
外延层转移
