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Ga阶梯式深结分布特性与应用研究

裴素华 , 黄萍 , 张美娜 , 江玉清

稀有金属材料与工程

利用开管扩Ga进行低浓度掺杂-长时间结深推移-浓度补偿与再分布方法形成Ga的阶梯式深结分布,用于普通晶闸管制备.实验与理论表明:J1和J2结附近Ga的较小浓度梯度aj保证器件具有较高阻断耐压特性;J3结附近Ga的浓度平缓分布,改善了器件触发参数的分散性;P2区内Ga较高的电导率-σ和J3结较大的注入比,同步协调和提高了器件的通态特性与动态特性.

关键词: Ga , 阶梯式分布 , 晶闸管 , 电学性能

晶闸管斩波在电镀电源上的应用

冯立明 , 张殿平 , 孙华

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2003.06.024

关键词: 晶闸管 , 斩波 , 电镀整流器 , 无级调压

气体微机电传感系统中的片上ESD保护

崔强 , 董树荣 , 刘俊杰 , 韩雁

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.036

摘要是本文提出了一种应用于微机电系统嵌入式传感器片上系统新工艺上的静电放电防护器件的电路结构.这个静电放电防护结构采用了以地端为参考电位的,多指条晶闸管类器件,包括以下几个部分1)输入/输出防护,2)电源钳位3)微机电处理过程中的内部传感器电极.本工作也提出了一种在有限的芯片面积下实现静电放电防护等级要求的多指条版图布局.这种静电放电防护设计体系在器件级和片上系统级都得到了测试和验证,有效性和鲁棒性都得到了证实.测试数据表明采用了本防护体系的片上系统在不引入闩锁,漏电流只有10-10A的情况下承受了4.1kV的人体放电模式的静电测试.

关键词: 静电放电 , 片上系统气体传感器 , 微机电系统 , 晶闸管 , 回滞曲线