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吸、放氢循环对V及V0.9Cr0.1合金储氢性能的影响

邓小霞 , 程宏辉 , 李慎兰 , 吕曼祺 , 陈德敏 , 杨柯

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.09.014

通过添加少量LaNi5对V以及V0.9Cr0.1合金进行有控制的机械合金化处理,改善了材料的活化性能.吸、放氢循环测试表明,吸、放氢循环超过100次并脱氢后,V和V0.9Cr0.1合金仍然保持单一bcc结构.随着吸、放氢循环的进行,V的吸、放氢平台压力不断增加,相同压力下吸氢量减小,且吸氢动力学有所下降.这与吸、放氢过程中晶格应变的降低和晶胞体积的减小有关.SEM观察表明,随着吸、放氢循环次数的增加,材料表面和内部形成大量的深裂纹,这对提高放氢平台压力和改善放氢动力学有促进作用.吸、放氢循环过程中,V比V0.9Cr0.1合金放氢容量衰减更快的原因是:吸、放氢循环前、后V的晶格应变降低和晶胞体积下降程度均比V0.9Cr0.1合金的要大,导致吸、放氢循环后V的吸氢量下降更大.

关键词: V , V-Cr合金 , 机械合金化 , 吸、放氢特性 , 动力学 , 晶胞体积 , 晶格应变

In掺杂对化学共沉淀法合成的SnO_2粉体Zeta电位的影响

胡学兵 , 周健儿 , 徐小勇 , 汪永清 , 张小珍

人工晶体学报

以四氯化锡、三氯化铟和氨水为原料,采用化学共沉淀法制备了In掺杂SnO_2粉体.实验采用XRD和Zeta电位分析仪对In掺杂SnO_2粉体的物化性能进行了研究.结果表明:当In掺杂浓度为2 mol%时,掺杂SnO_2粉体具有较低的Zeta电位.相对于纯SnO_2粉体,In掺杂改变了SnO_2的晶胞参数并增大了其晶胞体积.

关键词: SnO_2粉体 , In掺杂 , Zeta电位 , 晶胞体积

二元稀土系AB5型贮氢电极合金的放电容量与晶胞体积和4f电子浓度的关系

朱光明 , 雷永泉 , 陈立新 , 王启东

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.07.021

制备了6个系列通式为AαA(1-α)B5的RE(NiCoMnTi)5贮氢电极合金(其中,AαA(1-α)为La,Ce,Pr,Nd 4个元素中任意2个的组合),测定了它们在100次循环中的最大放电容量C(max)及部分合金的晶胞体积V(cell).结果表明:C(max)主要由V(cell)决定,C(max)先随V(cell)的增大而增加,在V(cell)≈85.66×10~(-3)nm~3时达到一极大值,然后又随V(cell)的增大而减小;同时,C(max)还与4f电子浓度n(e(4f))/n(a(RE))有关,A侧具有相同4f电子浓度的合金其C(max)随4f电子浓度的变化趋势相似.

关键词: 贮氢电极合金 , 稀土 , 晶胞体积 , 4f电子浓度

纳米晶体Se的微观结构特征

张皓月 , 卢柯 , 胡壮麒

金属学报

本文采用X射线衍射和透射电子显微镜研究了纳米晶体Se的微观结构特征.通过测定不同晶粒尺寸的纳米晶体Se的点阵参数a和c,发现纳米晶体Se中存在晶格畸变,畸变量与晶粒尺寸有关.得到了纳米晶体Se中晶胞体积变化与晶粒尺寸的关系.并由点阵参数计算出纳米晶体Se的键长.用非晶态Se中的无规链折叠的晶化机制解释了纳米晶体Se中晶格畸变现象.

关键词: 纳米晶体 , selenium , lattice parameter , lattice distortion. cell volume , null

二元稀土系AB5型贮氢电极合金的放电容量与晶胞体积和4f电子的关系

朱光明 , 雷永泉 , 陈立新

金属学报

制备了6个系列通式为AαA’αB5 的RE(NiCoMnTi)5 贮氢电极合金(其中, AαA’α为La,Ce,Pr,Nd 4个元素中任意2个的组合), 测定了它们在100次循环中的最大放电容量Cmax 及部分合金的晶胞体积Vcell .结果表明: Cmax 主要由Vcell 决定, Cmax 先随 Vcell 的增大而增加.在Vcell ≈85.66×10-3 nm3 时达到一极大值,然后又随 Vcell 的增大而减小; 同时, Cmax 还与4f 电子浓度ne4F / naRE 有关,A 侧具有相同4f 电子浓度的合金其中 Cmax 随4f 电子浓度的变化趋势相似.

关键词: 贮氢电极合金 , null , null

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