周涛
,
陆晓东
,
张鹏
,
李媛
硅酸盐通报
本文首先利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件建立基于优化减反射膜结构的二维晶硅太阳电池结构.然后利用传递矩阵法(TMM),优化设计由多种常见介质膜材料组成的减反射膜结构.最后详细分析了SiO2/Si3N4和MgFJZnS双层减反射膜对太阳电池性能的影响.结果表明:在400 ～ 750 nm波长范围内,MgF2/ZnS减反射膜光反射损耗最小.在850～1200nm波长范围内,SiO2/Si3N4减反射膜光反射损耗最小.光反射损耗越小,太阳电池量子效率和转换效率越高.减反射膜的钝化效果对晶硅电池短波段(λ＜550 nm)光谱响应影响较大.通过光吸收效果和钝化效果对减反射膜性能进行综合评价,SiO2/Si3N4减反射膜优于MgF2/ZnS减反膜,更有利于晶硅太阳电池转换效率的提高.
关键词:
晶硅太阳电池
,
减反射膜
,
表面复合
,
量子效率
,
转换效率
宿世超
,
王涛
,
韩宇哲
,
田罡煜
,
黄海宾
,
高超
,
岳之浩
,
袁吉仁
,
周浪
人工晶体学报
为进一步提高晶硅太阳能电池发射极的性能,本文提出了一种新的发射极制备技术-低温CVD法沉积固态薄膜扩散源并进行高温扩散.采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)在单晶硅片上沉积重掺杂硅基薄膜作为固态扩散源,然后在空气氛围下的管式炉中进行高温扩散,最后用稀HF溶液去除表面的BSG/PSG.通过掺磷薄膜扩散在P型单晶硅片上制备了方阻在50～250 Ω/□范围内可控的n+型发射极;通过掺硼薄膜扩散在N型硅片上制备了方阻在150 ～600Ω/□□范围内可控的p+型发射极.并且通过在源气体中加入CO2作为氧源,实现了扩散后硅片表面残留扩散源层的彻底去除.
关键词:
HWCVD
,
晶硅太阳电池
,
固态扩散源
,
发射极
,
方阻
张三洋
,
沈鸿烈
,
魏青竹
,
倪志春
,
邢正伟
,
姚函妤
,
吴斯泰
人工晶体学报
采用掺镓晶硅和掺硼晶硅制备的寿命片和太阳电池片分别进行光致衰减实验,用WT-2000少子寿命测试仪和Halm电池电学性能测试仪等研究了它们受光照前后少子寿命和电学性能的变化.发现掺镓单晶寿命片的少子寿命衰减率比掺硼单晶寿命片低50％左右,掺镓单晶PERC电池和掺镓多晶常规电池转换效率的衰减率比掺硼单晶PERC电池和掺硼多晶常规电池分别降低3.41％和0.92％.这些结果表明晶硅太阳电池的光致衰减效应主要是晶硅中少子寿命降低导致的,晶硅掺镓后能有效抑制太阳电池的光致衰减现象.
关键词:
光致衰减效应
,
晶硅太阳电池
,
掺镓晶硅
,
少子寿命
,
衰减率
