陈水源
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赖恒
,
肖艳
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陈志高
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冯倩
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黄志高
稀有金属材料与工程
用固相反应法制备了二元掺杂系列La2/3(CaxBa1-x)1/3MnO3(x=0,0.40,0.45,0.55,0.60,1.0)多晶材料;在77 K～420 K范围内测量了样品的电阻和磁电阻.结果表明,所制备的系列样品电阻率与温度的关系具有明显的双电阻峰结构;在T=77 K～350 K范围内,样品均有相似的磁电阻行为:在低温区(T＜Tc,,Tc为居里温度),磁电阻(MR)随T的下降几乎线性增加,在此区域采用用自旋极化电子隧道效应和局域化模型较好地解释了电阻和磁电阻行为.在较低温度(77 K～100 K)都有较大的MR值,这与单晶材料和薄膜材料的MR行为完全不同,这一差异是由于晶界效应所致;在Tc附近,样品都出现了磁电阻峰.在T＞Tc区域,电阻率、磁电阻都随温度的升高而迅速下降,样品在高温(Tc附近及T＞Tc区域)的这一行为可用双交换(DE)模型与非磁无序来说明.通过掺杂研究发现,掺杂量x为0.55,0.60的2种样品在室温下具有较大的磁电阻,在B=1.2 T时分别达到14.5%和19.5%.
关键词:
磁电阻
,
电阻
,
隧道效应
,
晶界效应
,
非磁无序
赖恒
,
陈水源
,
陈志高
,
李永森
,
黄志高
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2003.02.012
用固相反应法制备了La2/3(CaxBa1-x)1/3MnO3(x=0.00,0.40,0.45,0.55,0.60,1.00)六种多晶CMR材料,并测量了在77K～350K范围内零磁场和0.4T外磁场下的电阻率.这些样品都出现了双电阻峰结构,采用Mott转变表达式ρ～exp(T0/T)1/4拟合了实验数据,结果表明高温峰的转变是绝缘体-金属(I-M)转变,而低温峰不是I-M转变峰,用自旋极化电子隧道效应和局域化模型解释了电阻和磁电阻行为.此外,在x=0.4～0.6掺杂范围内样品呈现出异常的电阻行为.
关键词:
电阻
,
掺杂I-M转变
,
晶界效应
,
非磁无序
田发亮
,
李兵
,
杨磊
,
王晓平
,
朱弘
低温物理学报
本文通过比较La0.7 Ba0.3 MnO3多晶和外延薄膜样品磁输运行为之间的差异,讨论了晶界对多晶样品输运特性的影响,并计算了晶界电阻率随温度和磁场的变化关系.与晶粒的本征电阻率相比,晶界的电阻率要大一个量级,并且其金属一绝缘转变温度低约50K.此外,在晶界中观察到了新奇的正磁阻效应.我们认为,晶界在其转变温度附近出现了相分离现象,并形成铁磁金属渗流通道.由于晶界的特殊构型,Ba掺杂锰氧化物材料中大的磁致伸缩效应对其输运行为影响很大,导致了晶界中正磁阻现象的出现.
关键词:
晶界效应
,
正磁阻
,
体磁致伸缩
,
庞磁阻效应
卫芬芬
,
熊曹水
,
熊永红
中国稀土学报
将IrO2掺杂到固相反应法制备的La0.7Ca0.2Sr0.1MnO3(LCSMO)微粉中,制备了(1-x)La0.7Ca0.2Sr0.1MnO3+xIrO2(LCSMO/IrO2)复合体系.通过X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)以及直流四探针法测试,对复合材料的结构及性能进行了研究.结果发现,在复合体系中,一部分Ir4+离子取代了B位的Mn4+离子,另一部分以IrO2氧化物的形式存在于颗粒的边界处.随着IrO2掺杂量的增加,样品的比饱和磁化强度(σs)快速下降,而居里温度(Tc)先下降后上升,电阻率也发生显著变化.与此同时,IrO2的掺杂使样品的低场磁电阻效应(LFMR)和高场磁电阻效应(HFMR)都有所增强,在H=3 kOe,T=307 K,x=5%的样品磁电阻达到11.65%;同样对于x=5%的样品,在H=2 T,T=295 K,磁电阻达到28%,室温磁电阻得到显著增强,这可能与本征磁电阻效应的特点及材料的Tc和相变温度接近室温有关,另外掺杂物本身的特性对磁电阻的增强也有一定的影响.
关键词:
庞磁电阻效应
,
锰氧化物
,
自旋极化隧穿
,
晶界效应
,
稀土
曹炳阳
,
张清光
,
张兴
,
高桥厚史
,
声田龙也
,
乔文明
,
滕井丕夫
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.11.017
采用电子束-物理气相沉积法(EB-PVD)制备了6个厚度为15--62 nm的铂薄膜,研究了纳米薄膜的晶粒尺寸及其对热导率的影响规律.当薄膜厚度小于30 nm时,晶粒平均尺寸接近于薄膜的厚度;晶粒尺寸随着薄膜厚度的增加而增大并趋于定值;当薄膜厚度大于30 nm时,晶粒尺寸约为20 nm.受薄膜的表面和内部晶界的综合影响,铂纳米薄膜的热导率大大低于体材料的值,并且纳米薄膜的热导率随着薄膜厚度的增加而增大并趋于一个低于体材料热导率的值.
关键词:
Pt纳米薄膜
,
热导率
,
晶粒尺寸
,
晶界效应
,
尺寸效应
