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郑红军 , 卜俊鹏 , 尹玉华 , 白玉柯
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.009
采用不同的化学腐蚀方法,探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响,提出了氨水系列,进行晶片化学腐蚀,晶片厚度均匀性11.47%,为下步工艺提供平整度较好的晶片.
关键词: 研磨片 , 化学腐蚀方法 , 晶片均匀性
