唐永刚
,
彭振生
,
王桂英
,
郭焕银
低温物理学报
采用固相反应法制备了样品La0.67Sr0.33-xNaxMnO3(x=0.05,0.10,0.15,0.20,0.25,0.33).通过样品的红外吸收光谱、Ramam光谱p～T曲线以及p～T拟合曲线,研究了样品的晶格结构变化和输运性质,结果表明:随Na掺杂的增加,Mn-O-Mn的键长、键角变化加大;体系属于双交换作用输运机制;在低温区(TTp),用[p-Texp(T0/T)]拟合得很好,p(T)符合极化子近邻跃迁模型.
关键词:
Na掺杂
,
晶格结构
,
双交换作用
,
单磁子散射
,
极化子近邻跃迁
郭冬云
,
刘长永
,
王传彬
,
沈强
,
张联盟
材料导报
采用Sol-gel法制备出Bi1-xLnxFeO3(BLnF;x=0、0.05、0.10、0.15、0.20;Ln=Eu,Ho和Er)系列粉末,利用XRD分析了其晶格结构.结合容忍因子的变化分析了3种元素掺杂对BiFeO3晶格结构的影响规律,以及掺杂离子半径变化对BiFeO3晶格结构的影响趋势.结果表明,在450～550℃烧结可以得到纯相的BiFeO3粉末,烧结温度过高.容易形成Bi2Fe4O9杂相;掺杂量增加,晶格参数减小;掺杂离子半径减小,晶格参数减小;Eu、Ho和Er元素掺杂量低于0.10时,可以得到纯相的BLnF,掺杂量超过0.10后,晶格结构的稳定性变差,容易形成杂相.
关键词:
BiFeO3粉末
,
Sol-gel法
,
晶格结构
,
容忍因子
,
掺杂
刘伟鹏
,
皮雳
低温物理学报
本文采用固相反应法制备了BaxSr1-xRuO3和BaxSr1-xRu0．9Cr0．1O3两组样品，对比研究了它们磁性和电输运性质．当掺杂量少于0．2时，体系处于有少许畸变的钙钛矿的3C结构，Cr的掺人很大幅度提高了体系的铁磁转变温度L，电输运性质上也由坏金属行为转变为Mott绝缘体的行为，并且在铁磁相变附近出现电阻拐点．当掺杂量大于等于0．2时，体系发生结构相变，由畸变钙钛矿3c结构变为6M的单斜结构．这时，Cr的掺入对体系的影响并不明显．这些结果表明引起SrRuCh铁磁转变温度升高的Ru＋5-O-Cr＋3相互作用对晶格结构有强烈的依赖关系．
关键词:
铁磁转变
,
晶格结构
蒋猛
,
周素梅
人工晶体学报
基于完全对角化方法和重叠模型,计算了在K5Bi(MoO4)4: Yb3+晶体中掺杂Yb3+的晶格结构和光谱,在计算中,考虑了中心阳离子与配体的键长和键角变化的贡献,计算结果与实验之值符合很好.结果表明:以Yb3+为中心离子的晶格结构,将沿三方对称轴向下移动了0.035 nm的距离,在上三方晶格发生伸长畸变和在下三方晶格发生压缩畸变.
关键词:
光谱
,
晶格结构
,
完全对角化方法
,
重叠模型
,
K5Bi(MoO4)4:Yb3+晶体
付浩
,
胡经国
低温物理学报
采用Monte-Carlo模拟方法对六边形、正方形和三角形晶格结构磁性薄膜的磁学特性及磁畴结构进行了模拟，结果表明，磁性薄膜的磁性特征及其磁相变温度和薄膜结构密切相关并存在临界膜厚，当薄膜厚度大于临界膜厚时薄膜磁性特征稳定．在低温区，不同结构磁性薄膜的磁滞回线均出现台阶现象，结果同相关实验一致．
关键词:
磁性薄膜
,
晶格结构
,
相变温度
,
矫顽场
何忠伟
,
许业文
,
徐政
,
孙丹峰
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.016
发现了ZnO压敏陶瓷中的锥状或柱状"突起物"现象.通过能谱发现"突起物"的物质构成是ZnO,而且是ZnO晶粒生长形成的实体,并非气体在ZnO中形成的气泡.进一步论证了这种现象是ZnO极性生长造成的,并从内因和外因两个方面进行了分析.内因是ZnO的极性晶格结构和结晶形态,外因是ZnO压敏陶瓷中Bi2O3液相提供了极性生长得以显现的物化环境,并且通过单独添加Bi2O3的97mol%ZnO+3mol%Bi2O3配方和100mol%纯ZnO配方制备样品进行对比实验,验证了Bi2O3的作用.
关键词:
氧化锌压敏陶瓷
,
突起物
,
极性生长
,
晶格结构
,
氧化铋液相
张文蕾
,
马梅
,
张航
,
容婧婧
,
马兰
,
张丽丽
人工晶体学报
基于第一性原理密度泛函理论,计算分析了Zn1-xHfxO(x=0,0.0312,0.0417,0.0625和0.1250)体系的晶格结构、电子结构,Mulliken电荷布居和光学性质.计算结果表明,随着Hf掺杂摩尔百分比的增大,晶体体积膨胀,费米能级进入导带,其附近的导带部分主要由杂质原子Hf的5d态贡献,Hf-O离子键成分作用凸显,故Hf的掺杂引入施主能级进而形成n型ZnO材料的可能性较大.且通过比较吸收谱、反射谱和折射谱,发现适量掺入Hf原子可使ZnO体系在高能区的透过率增加,能量损失谱出现红移.这些性质均与实验中Hf掺杂有类似结果,由此可知适量掺杂Hf的ZnO体系有望在制备光电子器件等领域发挥作用.
关键词:
第一性原理
,
ZnO
,
晶格结构
,
电子结构
,
光学性质
成永生
中国有色金属学报(英文版)
doi:10.1016/S1003-6326(16)64336-4
为了揭示黄铁矿中分散元素铟的产出状态与富集规律，开展了详细的岩石学、矿物学、地球化学、矿物物理学等方面的研究工作。结果表明，黄铁矿通常与闪锌矿、铁闪锌矿、磁黄铁矿、黄铜矿、方铅矿以及毒砂等共生，主要呈块状构造、浸染状构造、脉状构造、网状构造、梳状构造等，黄铁矿结构主要为交代结构、固溶体结构、自形?半自形粒状结构以及浸染状结构等。黄铁矿中的铟含量介于0.491×10?6~65.1×10?6之间，平均含量为14.38×10?6，然而，该矿田中的高峰矿床黄铁矿铟含量高于大福楼矿床以及铜坑矿床的烟含量，具有更为显著的超常富集特征。另外，黄铁矿中的分散元素镉含量较其余分散元素高，且高峰矿床黄铁矿中的镉矿物同样地比其他矿床富集更为明显。铟与镉以及铟与铊之间均表现出明显的正相关关系，但是，铟与铼之间则为负相关关系，而铟与镓之间不具有显著的正相关或负相关关系。大厂锡石硫化物矿床的主成矿元素锌可能更加有利于分散元素铟的迁移与结晶，对于铟的富集成矿作用至关重要。
关键词:
分散元素铟
,
黄铁矿
,
晶格结构
,
富集规律
,
锡石硫化物矿床
,
大厂矿田
