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Yb3+:GdGaGe2O7制备、结构及光谱性能

宁凯杰 , 张庆礼 , 孙敦陆 , 殷绍唐

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.02.019

采用固相法制备了10 at%Yb3+:GdGaGe2O7多晶粉体,通过X射线粉末衍射用Rietveld全谱拟合给出了其空间群为P21/c,晶格常数a、b、c和β,Gd/Yb和Ga的原子坐标,以及Ge1、Ge2、O1~O7的原子坐标.通过吸收谱、激发谱、光致发光谱和Raman光谱确定Yb3+的晶场能级分裂,1003 nm发光在低温(8 K)和室温(300 K)时上能级荧光寿命为0.493 ms和0.774 ms.在室温下测量荧光寿命变长主要由再吸收引起.Yb3+:GdGaGe2O7的吸收和发射光谱均很宽,荧光寿命长,是潜在的全固态激光工作物质.

关键词: 材料 , Yb3+:GdGaGe2O7 , X射线衍射 , 光致发光 , 晶场能级

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