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Al焊盘表面氧化膜对金丝键合的影响

陈国海 , 刘豫东 , 马莒生

稀有金属材料与工程

在半导体制造工艺中,Al焊盘表面的氧化膜会阻碍金丝键合.针对某公司新半导体工艺中出现键合失效问题的芯片,采用SEM,EDS和AES对切片前后的芯片进行了分析.结果发现,切片前后Al焊盘表面的元素成分基本一致,可以认为清洗工艺对金丝键合基本没有影响,它不是导致金丝键合失效的原因;通过AES对焊盘进行深度剖析,在深度接近Al焊盘高度的一半时,氧的含量仍然高达40%左右,如此高含量的氧已经足以将Al完全氧化,其所形成的氧化膜阻碍了金丝键合所必需的金属连接和扩散过程,从而导致键合质量差,甚至无法实现键合.

关键词: 晶圆 , Al焊盘 , 金丝键合 , 氧化膜

多元胺醇型表面活性剂对铜晶圆平坦化的影响

闫辰奇 , 刘玉岭 , 张金 , 张文霞 , 王辰伟 , 何平 , 潘国峰

电镀与涂饰

研究了一种多元胺醇型非离子表面活性剂对铜化学机械抛光(CMP)液粒径及分散度、抛光速率、抛光后铜膜的碟形坑高度、表面非均匀性和表面粗糙度的影响.抛光液的基本组成和工艺条件为:SiO2(粒径60 ~ 70 nm) 5%(体积分数,下同),多羟多胺螯合剂3%,30%(质量分数)过氧化氢3%,工作压力1 psi,背压1 psi,抛头转速87 r/min,抛盘转速93 r/min,抛光液流量300 mL/min,抛光时间60 s,抛光温度23℃.结果表明,表面活性剂的引入可提高抛光液的稳定性.当表面活性剂含量为3%时,抛光速率、抛光后碟形坑高度、表面非均匀性和表面粗糙度分别为614.86 nm/min、76.5 nm、3.26%和0.483 nm,对铜晶圆的平坦化效果最好.

关键词: , 晶圆 , 化学机械抛光 , 平坦化 , 非离子型表面活性剂 , 机理

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